DRAM报价持续反弹
来源:中时电子报 作者: 时间:2007-12-05 17:49
DDR2现货报价逼近变动成本,终于在上周浮现止跌、支撑力道,昨(四)日DRAM报价反弹力道再推进,单日大涨二.一四%至五.九一%,创近半年来单日最大涨幅。影响所及,现货市场主力的力晶(5346)、茂德(5387)、华邦电(2344),以及DRAM模块三雄创见(2451)、威刚(3260)及劲永(6145),营运可望优先直接受惠。
上周三(十一月廿八日)DRAM报价正式浮现止跌迹象,激励DRAM族群连二日强劲翻红,力晶、茂德更在法人齐手加码推进下,连拉二根涨停,华邦电也有九.六%涨幅。
DRAM模块三雄更因信息展起跑,有利拉抬旗下DRAM、NAND FLASH销售,股价多从廿八日起,连四日攀扬;营收、获利龙头厂创见,股价从九十三元一路上攻达一○六.五元,涨幅一四.五%。
DRAM当前二大观察焦点规格DDR2 512Mb eTT昨日均价○.八六美元,涨幅五.九一%;DDR2 1Gb eTT上涨四.四七%,均价达一.七三美元。
集邦科技(DRAMeXchange)最新报告即指出,DDR2 512Mb eTT颗粒价格先前一度跌破○.八美元关卡,最低落在○.七七美元价位,但随即反弹至原来价格,显示上周DRAM现货报价已浮现支持力道。
集邦科技表示,DRAM当价格低于变动成本的时候,就会开始出现反弹的现象,因为厂商会适时调整生产计划。
上一篇:存储行情天天谈——12月4日
下一篇:10月份全球半导体销售额增长5%