DRAM市场08年需求成长有望逾四成
根据集邦科技(DRAMeXchange)日前发表的内存市场调查报告显示，10月22~29日现货市场eTT颗粒价格短期反弹至高点后开始拉回，DDR2 512Mb eTT收在1.05美元，跌幅约10.2%；而品牌颗粒并未受影响，跌幅仅有5.8%。
就市场面观察，这次跌价的原因，主要是DDR2 eTT的供给大量开出、买气缩手，加上本周适逢月底做帐，买方除非有订单在手，否则不会进场买货，以及上周所释出的DDR2 eTT颗粒尚未消化完毕；因此集邦科技预测，DDR2 eTT颗粒将会很快再回探并逼近1美元的价位。
在PC需求方面，受到整体性的需求不佳与次级房贷的影响，第四季出货量将比往年同期衰退5%，然而在DRAM厂尚未达成减产的共识下，11月份合约价将有可能持续走低。但由于合约价在10月已下跌颇深，DRAM厂不愿意再大幅降价。预计11月、12月合约价继续下跌幅度有限。
集邦科技最新研究报告指出，明年DRAM厂于DRAM资本支出将下降20%~25% YoY，而12吋厂产能的扩张也减缓，主要产能扩张来自台系厂如南科、茂德、瑞晶；而国际大厂主要产出增加来自70nm或更先进制程的转进；至于韩系厂商Samsung及Hynix虽表示明年在DRAM产能没有扩张的计划，但以其制程转进能力，三星仍预期明年DRAM供给位成长70%。整体而言，集邦科技预估明年DRAM供给位成长约50%，DRAM需求成长约40%。
10月下旬NAND Flash合约价平均下跌约0~10%左右，主要是因为下游厂商目前仍在积极的促销降价活动，藉此降低库存水位，再来进行年底旺季的备货，使得10月份下游客户的补货量较小；其中8Gb以上的MLC NAND Flash产品供货量，随着厂商5X nm制程的产出量增加，所以跌幅较其它NAND Flash的产品稍大。集邦科技并预期11月份厂商库存及客户年底需求状况将会进一步改善，而NAND Flash合约价价格届时将会比较持稳。
就市场面观察，这次跌价的原因，主要是DDR2 eTT的供给大量开出、买气缩手，加上本周适逢月底做帐，买方除非有订单在手，否则不会进场买货，以及上周所释出的DDR2 eTT颗粒尚未消化完毕；因此集邦科技预测，DDR2 eTT颗粒将会很快再回探并逼近1美元的价位。
在PC需求方面，受到整体性的需求不佳与次级房贷的影响，第四季出货量将比往年同期衰退5%，然而在DRAM厂尚未达成减产的共识下，11月份合约价将有可能持续走低。但由于合约价在10月已下跌颇深，DRAM厂不愿意再大幅降价。预计11月、12月合约价继续下跌幅度有限。
集邦科技最新研究报告指出，明年DRAM厂于DRAM资本支出将下降20%~25% YoY，而12吋厂产能的扩张也减缓，主要产能扩张来自台系厂如南科、茂德、瑞晶；而国际大厂主要产出增加来自70nm或更先进制程的转进；至于韩系厂商Samsung及Hynix虽表示明年在DRAM产能没有扩张的计划，但以其制程转进能力，三星仍预期明年DRAM供给位成长70%。整体而言，集邦科技预估明年DRAM供给位成长约50%，DRAM需求成长约40%。
10月下旬NAND Flash合约价平均下跌约0~10%左右，主要是因为下游厂商目前仍在积极的促销降价活动，藉此降低库存水位，再来进行年底旺季的备货，使得10月份下游客户的补货量较小；其中8Gb以上的MLC NAND Flash产品供货量，随着厂商5X nm制程的产出量增加，所以跌幅较其它NAND Flash的产品稍大。集邦科技并预期11月份厂商库存及客户年底需求状况将会进一步改善，而NAND Flash合约价价格届时将会比较持稳。