DRAM涨价 明年Q2再说
DRAM价格持续探底，NAND Flash也迈入淡季，专业科技市调机构iSuppli昨（14）日表示，记忆体均价恐至明年第二季才有机会复苏，调降相关业者近况评等至负面。其中，DRAM厂面临价格跌破成本问题，预估本业至少还要再亏两季，明年第二季才可望转正。
DRAM价格近期一路滑落，上游晶片制造商从第二季起便陆续由盈转亏。根据集邦科技（DRAMeXchange）最新报价，指标性产品512Mb DDRII有效测试颗粒（eTT）近期报价仍不见起色，日均价最低已下探0.9美元，创下DDRII问世以来新低，远低于晶片厂制造成本，业者仍面临庞大亏损压力。
市况不振影响，尽管昨天大盘大涨逾215点，记忆体族群走势仍远不如大盘表现，仅南科（2408）、华亚科（3474）收小红，力晶（5346）收平盘价13.05元；茂德（5387）更逆势收黑。
德意志证券指出，DRAM价格今年降幅达五成，明年仍将持续下跌42%，严重影响业者营运，成为DRAM族群上档庞大压力，修正南科今、明年获利预估，由盈转亏，调降评等至“卖出”，华亚科则由“买进”转为“中立”，目标价由46元降至31元。茂德也被巴黎证券调降评等至“减码”，目标价6.5元。
iSuppli指出，DRAM均价自9月起便持续滑落，已跌破供应商的现金成本，尽管市况恶化空间有限，但业者最快要在明年第二季，才会在市场供给降低效应带动下，让营业利益由负转正。
至于NAND Flash方面，受南韩业者将DRAM产能转换至NAND Flash影响，iSuppli预期今年第四季价格仍将走跌，幅度约24%，相较于去年同期NAND晶片均价上涨8.4%，市况显然逊色许多，预期价格走势最快要到明年第三季才会复苏。
DRAM业者认为，目前市况需求并非不好，但市场供给随业者转换至70奈米持续增加，导致供需失衡是价格不振的主因，尽管11、12月虽有一小波的假期采购热，但带动价格向上的力道相当有限，研判年底前512Mb DDRII价格回到2美元以上的机率“微乎其微”，最快明年第一季过后才有机会好转。
DRAM价格近期一路滑落，上游晶片制造商从第二季起便陆续由盈转亏。根据集邦科技（DRAMeXchange）最新报价，指标性产品512Mb DDRII有效测试颗粒（eTT）近期报价仍不见起色，日均价最低已下探0.9美元，创下DDRII问世以来新低，远低于晶片厂制造成本，业者仍面临庞大亏损压力。
市况不振影响，尽管昨天大盘大涨逾215点，记忆体族群走势仍远不如大盘表现，仅南科（2408）、华亚科（3474）收小红，力晶（5346）收平盘价13.05元；茂德（5387）更逆势收黑。
德意志证券指出，DRAM价格今年降幅达五成，明年仍将持续下跌42%，严重影响业者营运，成为DRAM族群上档庞大压力，修正南科今、明年获利预估，由盈转亏，调降评等至“卖出”，华亚科则由“买进”转为“中立”，目标价由46元降至31元。茂德也被巴黎证券调降评等至“减码”，目标价6.5元。
iSuppli指出，DRAM均价自9月起便持续滑落，已跌破供应商的现金成本，尽管市况恶化空间有限，但业者最快要在明年第二季，才会在市场供给降低效应带动下，让营业利益由负转正。
至于NAND Flash方面，受南韩业者将DRAM产能转换至NAND Flash影响，iSuppli预期今年第四季价格仍将走跌，幅度约24%，相较于去年同期NAND晶片均价上涨8.4%，市况显然逊色许多，预期价格走势最快要到明年第三季才会复苏。
DRAM业者认为，目前市况需求并非不好，但市场供给随业者转换至70奈米持续增加，导致供需失衡是价格不振的主因，尽管11、12月虽有一小波的假期采购热，但带动价格向上的力道相当有限，研判年底前512Mb DDRII价格回到2美元以上的机率“微乎其微”，最快明年第一季过后才有机会好转。