黄崇仁:DDR2近回稳至2.5美元

来源:中时电子报 作者: 时间:2007-07-25 17:48

     继南亚科(2408)、华亚科(3474)宣告DRAM合约市场热度活络讯息后,主攻现货市场的力晶(5346)也以报价逐季回升、70奈米效益发挥为由,传递下半年营运稳健乐观看法。力晶董事长黄崇仁在法说会中表示,八月底时DDR2 512Mb ETT价格可望回到2.5美元,第四季有机会上看3美元,总体下半年价格约落2.5美元至3美元稳健状态。
    
     近来DRAM报价逐渐好转,而根据力晶总经理谢再居表示,在DRAM部分,因Vista与消费性电子产品需求的提升,加上自90转入70或是80奈米制程有其难度,再者八寸厂除役,因此下半年DRAM市场是乐观的。
    
     黄崇仁则更进一步推测,八月份512Mb之DDR2(Finish Good)报价可回稳到2.5美元,到了第四季进一步上涨到2.5至3美元间,另外第三季1G的报价也会达到5至6美元,甚至更高。
    
     力晶总经理谢再居指出,在DRAM价格超跌可望刺激需求、部分厂商80奈米以下制程转换发生困难,以及整体产出受到Nand Flash产能排挤效应和八寸厂渐退出市场因素,下半年DRAM没有悲观的理由。为突破获利空间,力晶下半年将集中火力于70奈米制程转换上;第三季70奈米制程约达总产出30%,年底拉高至70%,以强化成本结构降至2美元之下。
    
     谢在居说,从长期行情观察,Nand Flash现货利润多优于DRAM,力晶推展Nand Flash进度未歇。70奈米 NAND Flash产品将于第四季正式于12A、B厂投入量产,而争取的新竹12C、12D新厂,也规划将十二万片产能,悉数投入Nand Flash运作,预估明年中后,营运效益可望随之浮现。
    
     力晶第三季因无新产能开出,转投资的瑞晶也仅小量投产,单季新增产能力道,端赖制程技术推进贡献;八月前受制仍处制程转换调整期,第三季DRAM位出货成长约10%,第四季方有大幅提升表现。
    
     据了解,虽然力晶第三季受制70奈米制程转换的成本条件恐要到八月才有获利贡献,所幸旺宏持股出脱利益入帐,增添单季获利增长;第四季70奈米跃居生产主流,重新启动DRAM获利攀升贡献。
    
     力晶毛利率为负16.49%,单季税前亏损54亿元,税后亏损38.44亿元,单季每股亏损0.56元,但半年报仍有获利,累计上半年税前获利27.39亿元,税后36.88元,每股获利0.54元。
    

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