黄崇仁：DDR2近回稳至2.5美元
继南亚科（2408）、华亚科（3474）宣告DRAM合约市场热度活络讯息后，主攻现货市场的力晶（5346）也以报价逐季回升、70奈米效益发挥为由，传递下半年营运稳健乐观看法。力晶董事长黄崇仁在法说会中表示，八月底时DDR2 512Mb ETT价格可望回到2.5美元，第四季有机会上看3美元，总体下半年价格约落2.5美元至3美元稳健状态。
近来DRAM报价逐渐好转，而根据力晶总经理谢再居表示，在DRAM部分，因Vista与消费性电子产品需求的提升，加上自90转入70或是80奈米制程有其难度，再者八寸厂除役，因此下半年DRAM市场是乐观的。
黄崇仁则更进一步推测，八月份512Mb之DDR2（Finish Good）报价可回稳到2.5美元，到了第四季进一步上涨到2.5至3美元间，另外第三季1G的报价也会达到5至6美元，甚至更高。
力晶总经理谢再居指出，在DRAM价格超跌可望刺激需求、部分厂商80奈米以下制程转换发生困难，以及整体产出受到Nand Flash产能排挤效应和八寸厂渐退出市场因素，下半年DRAM没有悲观的理由。为突破获利空间，力晶下半年将集中火力于70奈米制程转换上；第三季70奈米制程约达总产出30％，年底拉高至70％，以强化成本结构降至2美元之下。
谢在居说，从长期行情观察，Nand Flash现货利润多优于DRAM，力晶推展Nand Flash进度未歇。70奈米 NAND Flash产品将于第四季正式于12A、B厂投入量产，而争取的新竹12C、12D新厂，也规划将十二万片产能，悉数投入Nand Flash运作，预估明年中后，营运效益可望随之浮现。
力晶第三季因无新产能开出，转投资的瑞晶也仅小量投产，单季新增产能力道，端赖制程技术推进贡献；八月前受制仍处制程转换调整期，第三季DRAM位出货成长约10％，第四季方有大幅提升表现。
据了解，虽然力晶第三季受制70奈米制程转换的成本条件恐要到八月才有获利贡献，所幸旺宏持股出脱利益入帐，增添单季获利增长；第四季70奈米跃居生产主流，重新启动DRAM获利攀升贡献。
力晶毛利率为负16.49％，单季税前亏损54亿元，税后亏损38.44亿元，单季每股亏损0.56元，但半年报仍有获利，累计上半年税前获利27.39亿元，税后36.88元，每股获利0.54元。
近来DRAM报价逐渐好转，而根据力晶总经理谢再居表示，在DRAM部分，因Vista与消费性电子产品需求的提升，加上自90转入70或是80奈米制程有其难度，再者八寸厂除役，因此下半年DRAM市场是乐观的。
黄崇仁则更进一步推测，八月份512Mb之DDR2（Finish Good）报价可回稳到2.5美元，到了第四季进一步上涨到2.5至3美元间，另外第三季1G的报价也会达到5至6美元，甚至更高。
力晶总经理谢再居指出，在DRAM价格超跌可望刺激需求、部分厂商80奈米以下制程转换发生困难，以及整体产出受到Nand Flash产能排挤效应和八寸厂渐退出市场因素，下半年DRAM没有悲观的理由。为突破获利空间，力晶下半年将集中火力于70奈米制程转换上；第三季70奈米制程约达总产出30％，年底拉高至70％，以强化成本结构降至2美元之下。
谢在居说，从长期行情观察，Nand Flash现货利润多优于DRAM，力晶推展Nand Flash进度未歇。70奈米 NAND Flash产品将于第四季正式于12A、B厂投入量产，而争取的新竹12C、12D新厂，也规划将十二万片产能，悉数投入Nand Flash运作，预估明年中后，营运效益可望随之浮现。
力晶第三季因无新产能开出，转投资的瑞晶也仅小量投产，单季新增产能力道，端赖制程技术推进贡献；八月前受制仍处制程转换调整期，第三季DRAM位出货成长约10％，第四季方有大幅提升表现。
据了解，虽然力晶第三季受制70奈米制程转换的成本条件恐要到八月才有获利贡献，所幸旺宏持股出脱利益入帐，增添单季获利增长；第四季70奈米跃居生产主流，重新启动DRAM获利攀升贡献。
力晶毛利率为负16.49％，单季税前亏损54亿元，税后亏损38.44亿元，单季每股亏损0.56元，但半年报仍有获利，累计上半年税前获利27.39亿元，税后36.88元，每股获利0.54元。