IBM携手TDK　开发大容量高密度MRAM芯片

IBM携手TDK　开发大容量高密度MRAM芯片

     IBM和TDK周一宣布，两家公司将携手研发大容量、高密度的MRAM（磁阻式随机存取存储器）芯片。
    
     IBM和TDK将研究如何应用自旋动量转移来生产体积更小的数据存储单元，在这项技术得到更加广泛的普及后，将可以满足生产体积小、容量大的芯片需求。
    
     MRAM利用微小的磁场，而不是电荷来存储数据。它是一种非易失性存储产品，可以像闪存那样在不供应电能的情况下，仍可以保留所存储的数据。MRAM的写入速度比闪存快，其写入速度可以与个人电脑中使用的动态RAM相当。
    
     MRAM芯片的一个潜在市场是电脑市场，它可以迅速开启，况且每次启动时均无须向内存加载软件。不过，目前市场上的MRAM芯片容量仅几兆字节，能够满足嵌入式控制系统的要求，但是远远不能满足现代个人电脑的需求。
    
     TDK和IBM希望能够扩大MRAM芯片的容量使其更加广泛地应用于手机和手持电脑中。以前，IBM曾与英飞凌科技在MRAM技术上开展合作。飞思卡尔于去年7月就开始商业化生产4MB的MRAM芯片。
    
     （来源：eNet硅谷动力）