NAND快闪记忆体供应商积极抢食大饼

NAND快闪记忆体供应商积极抢食大饼

     根據EE Times報導， NAND快閃記憶體市場上的競爭業者，包括Hynix、IM Flash與Toshiba等，最近都悄悄增加產量，並且準備推出45-nm以下的產品。這個領域的供應商不但在程序技術上激烈競爭，也在準備因應市場上新的需求與產品的周期。市面上逐漸出現需要NAND的新應用，例如flash BIOS、solid-state storage與具備DVR功能，採用快閃記憶體的電視機。NAND業者最近動作頻仍，市場領導供應商Samsung Electronics展示了一款30-nm NAND元件，第二大供應商 Toshiba在日本的新晶圓廠即將投入生產，該公司一方面在開發43-nm NAND產品線，另一方面也在開發3-bit-per-cell的技術。全球第三大供應商Hynix Semiconductor，計畫將第三季的位元產量增加一倍。
    
     另外，IM Flash Technologies增加在猶他州十二吋晶圓廠的產量，該公司已在生產50-nm元件，並在開發40-nm以下的產品。由於Samsung在本月初發生停電導致停產的事件，其他NAND供應商都希望能夠從中獲利。其實，iSuppli認為停電事件對於Samsung與其他競爭者而言也許都是好事，因為它減少了供貨，有助於價位的上揚。DRAMexchange的資料顯示，NAND元件的和約價格，在八月上半上升了15%至20%。iSuppli最近修正了對於今年度NAND市場的預測，認為產值可望比去年成長10%至15%。