美光對NAND Flash發警語

美光對NAND Flash發警語

     全球NAND型快閃記憶體(Flash)大廠美光(Micron)近來針對全球NAND Flash市場未來發展發出警語表示，目前NAND Flash廠製程技術發展相當快速且先進，但微影技術無法跟上NAND Flash廠發展，尤其令人感到驚訝的是，微影設備商技術竟遠落後NAND Flash大廠數年，幾家NAND Flash廠商為於未來順利發展，還必須領先微影設備商，自行開發一些相關技術。
    
     近來全球各大DRAM廠為能有效運用旗下晶圓廠，加上NAND Flash市場成長率遠高於標準型DRAM，促使多家DRAM大廠紛投入NAND Flash市場，就連台系DRAM廠力晶及茂德，也相繼宣布將投入NAND Flash市場研發及製造行列，其中，力晶更是大張旗鼓地投入興建12吋廠，希望能趕上新一波記憶體需求潮。
    
     不過，正當DRAM大廠紛投入NAND Flash市場，美光卻提出警語，美光NAND Flash發展事業群副總裁Frankie Roohparvar表示，目前NAND Flash發展所遇到最大瓶頸在於微影技術，事實上，微影技術已遠落後NAND Flash技術至少好幾年。目前微影技術設備供應商完全跟不上NAND Flash廠商技術，NAND Flash廠已領導半導體業界製程技術。
    
     美光表示，現在其於50奈米製程技術，甚至在掃瞄機發展前便已完全準備好，美光必須先將微影技術給準備好，才有助於美光在50奈米製程技術順利發展。目前193奈米浸潤式掃瞄機到了45奈米製程可能已無法使用，至於下世代浸潤式掃瞄機，預計將可使用到32奈米製程。
    
     多家DRAM廠指出，做NAND Flash困難度確實較標準型DRAM要難上許多。NAND Flash發展不僅在微影技術上將出現瓶頸，過去採用NAND Flash架構到45奈米製程以下時，便會遭遇到一些物理極限限制，因而發明SONOS架構技術，使DATA Flash到45奈米製程以下時，依然可繼續走下去。
    
     目前全球各大DATA Flash廠無不想盡辦法，希望能不斷改良SONOS架構，使其早日順利量產商業化。不過，SONOS仍有瓶頸待克服，最快要到2008年才會見到類似SONOS架構的TANOS產品量產。TANOS結構係由鉭金屬、氧化鋁(高K材料)、氮化物、氧化物和矽晶層所組成，TANOS結構採用，也象徵產業界首次將金屬層和高K材料結合應用於NAND設備中。
    
     由於各大半導體廠已體認到，若不採用SONOS架構，應無法再將DATA Flash帶進下一世代，因此，包括飛思卡爾(Freescale)、賽普拉斯(Cypress)等大廠，均開始積極投入研發。