IR 授权英飞凌科用DirectFET封装技术
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 与英飞凌科技股份有限公司 (Infineon Technologies) 共同宣布，后者将获授权使用IR的DirectFET先进功率管理封装专利技术。
DirectFET 功率封装是业界首个在SO-8或更小占位面积，提供高效上部散热的表面贴装功率MOSFET封装技术，适用于计算机、笔记本电脑、电信和消费电子设备的AC-DC及DC-DC功率转换应用。与标准塑料分立封装相比，DirectFET的金属罐构造具有双面散热功能，因而可有效将高频DC-DC降压式转换器的电流处理能力增加一倍。
英飞凌将把DirectFET功率封装技术应用于旗下的OptiMOS 2和OptiMOS 3芯片技术，预计在2008年初开始提供DirectFET封装的OptiMOS 2样品。
IR企业功率业务部副总裁Tim Phillips表示：“由于采用了独特的双面散热设计，IR的DirectFET封装技术可以降低能量损耗，减小设计占位面积，是先进计算、消费及通信应用首选的解决方案。”
他还表示：“我们不断为节省能源开发尖端技术，并通过授权协议扩大 DirectFET这类创新技术在节能方面的影响力，进一步扩展我们在功率管理市场最主要领域的业务。”
英飞凌科技功率管理及驱动器业务部高级副总裁兼总经理Arunjai Mittal表示：“根据这项协议，英飞凌将继续扩充旗下的功率半导体产品系列。把我们成功的OptiMOS芯片技术与不同封装规格相结合，以适应广泛的应用，使电源设计师可以为特定应用采用节能的、有成本效益的解决方案。OptiMOS 2和OptiMOS 3器件本身具有卓越的特性，现在加上具有双面散热能力的封装，将进一步巩固英飞凌在功率转换市场的地位。”
DirectFET 功率封装是业界首个在SO-8或更小占位面积，提供高效上部散热的表面贴装功率MOSFET封装技术，适用于计算机、笔记本电脑、电信和消费电子设备的AC-DC及DC-DC功率转换应用。与标准塑料分立封装相比，DirectFET的金属罐构造具有双面散热功能，因而可有效将高频DC-DC降压式转换器的电流处理能力增加一倍。
英飞凌将把DirectFET功率封装技术应用于旗下的OptiMOS 2和OptiMOS 3芯片技术，预计在2008年初开始提供DirectFET封装的OptiMOS 2样品。
IR企业功率业务部副总裁Tim Phillips表示：“由于采用了独特的双面散热设计，IR的DirectFET封装技术可以降低能量损耗，减小设计占位面积，是先进计算、消费及通信应用首选的解决方案。”
他还表示：“我们不断为节省能源开发尖端技术，并通过授权协议扩大 DirectFET这类创新技术在节能方面的影响力，进一步扩展我们在功率管理市场最主要领域的业务。”
英飞凌科技功率管理及驱动器业务部高级副总裁兼总经理Arunjai Mittal表示：“根据这项协议，英飞凌将继续扩充旗下的功率半导体产品系列。把我们成功的OptiMOS芯片技术与不同封装规格相结合，以适应广泛的应用，使电源设计师可以为特定应用采用节能的、有成本效益的解决方案。OptiMOS 2和OptiMOS 3器件本身具有卓越的特性，现在加上具有双面散热能力的封装，将进一步巩固英飞凌在功率转换市场的地位。”