英特尔最先进45纳米工艺12英寸芯片厂投产

英特尔最先进45纳米工艺12英寸芯片厂投产

     10月26日外电消息，英特尔斥资30亿美元建造的美国亚利桑那州芯片厂周四正式投产，这是是英特尔首座专门用于生产电路平均宽带仅为45纳米，也即450亿分之一米的芯片加工厂。
    
     新厂主要生产代号为“Penryn”的芯片，主要用于支持网络运行的PC及服务器，产品预计于11月12日上市销售。
    
     英特尔这座新工厂代号为“Fab32”，占地约100万平方英尺，相当于17个足球场大小，可容纳1000多名员工。
    
     新厂的投产将使英特尔进一步保持与AMD的竞争优势。目前，AMD仍在采用65纳米工艺，预计到明年才能转向45纳米。
    
    
     （来源：eNet硅谷动力）