上周DRAM eTT现货价急涨12%为投机炒作

上周DRAM eTT现货价急涨12%为投机炒作

     上周现货市场 eTT颗粒呈现近近期少见的急涨局面 ，单周价格急涨近 12%。集邦科技(DRAMeXchange)表示 ，由于目前DRAM厂是持续进行70奈米制程转换，导致市 场供给减少，部分买主逢低买进拉抬买气，属短期市场 操作效应，并非市场终端的需求提升而带动。
    
     上周(10/15-10/22)现货市场 DDR2 512Mb eTT价格 收在1.17美元，涨幅约 11.9%；而品牌颗粒仍呈现平稳 走势，上涨至1.37美元，幅度为1.4%；由于这波投机性 买盘主要集中在DDR2 eTT的颗粒，并未带动品牌颗粒价 格同步上涨。
    
     集邦预估，近期在DDR2 eTT的供给大量开出下， DDR2 eTT价格恐将回探1美元；10月上旬合约价下跌20% ，却仍难以刺激合约市场的买气，估下旬合约价将继续 下跌 10%，若合约价持续走低，将能刺激DRAM搭载率的 提升。
    
     历史经验来看，以往10月是Dell (DELL-US；戴尔) 、HP(HPQ-US；惠普)PC出货旺季，也是年底结帐月，不 过受限PC销售状况未如理想，今年 2家系统厂皆希望降 低零组件库存，因此也影响DRAM厂出货状况，以致DRAM 价格持续不振。
    
     集邦表示，今年底消费型笔记型与桌上型电脑 2GB 的搭载率将超过70%及60%以上，预估明年的DRAM需求成 长力道，将转向商务型笔记型电脑。
    
     有鉴于DRAM扩产太多，目前市场供过于求，国内 DRAM厂已表态将消减明年资本支出与采节制性扩产策略 ，分析师指出，由于12寸的产能扩张将可趋减缓，加上 DRAM 8寸厂去化的产能，预估明年DRAM的位元成长率将 由今年的 93%大幅下降至近 50%。