DRAM股强弹 法人保守看
DRAM现货价格止跌，国际同业美光（Micron）股价大涨，带动DRAM股昨（29）日大举上攻，涨幅都在半根涨停板之上。不过，DRAM现货价下杀至0.8 美元，业者第四季亏损压力更大于第三季，尤其力晶（5346）现货市场出货比重最高，亏损恶化程度恐明显大于其它同业，法人圈对于类股短线强弹普遍保守看待。
根据集邦科技昨晚最新报价，DRAM现货价急跌状况稍有改善，512Mb DDRII有效测试颗粒（eTT）力守0.8美元，并未持续下探，但近一个月来，价格大跌超过23%，业者亏损状况恐明显大于第三季；11月上旬合约均价则下跌5.25%，报价为1.13美元，与第三季末相较，跌幅超过35%，都让业者第四季获利乐观不起来。
分析师说，合约价与现货价差已达三成，业者第四季亏损状况会有所差异。力晶因现货市场比重高，亏损状况最受关切；南科（2408）合约市场比重较高，亏损恶化程度相对较小。
DRAM价格暴跌，类股股价随势下修，年初迄今，力晶、茂德（5387）、南科股价都濒临腰斩，也都已跌破净值，昨天在短线跌幅已大，且美光强势大涨6.55%带动下，出线久违的猛烈攻势，力晶盘中率先亮灯涨停锁住，带动茂德、南科、华亚科同步大涨。
法人指出，DRAM产业变量仍多，业者亏损压力未减，基本面未有起色，且美光已将重心淡出标准型DRAM业务，在三星等韩系DRAM厂未有显著减产动作前，价格暴跌的冲击，仍将影响第四季获利。
业者透露，DRAM厂升级到70奈米制程，虽然让每单位晶圆产出增加，但每片晶圆生产成本要价1,500美元，加上良率仅在八成附近，换算下来，成本并没有比每单位产出较少、一片要价仅1,100美元，但良率在九成以上的90奈米技术有特别显著的竞争力。
分析师也说，业者生产愈多，赔得愈多，并没有在70奈米上讨到什么便宜。
集邦科技认为，今年DRAM位成长约90%，第四季仍将处于供过于求，估计将持续至明年第二季，尤其现货市场库存水位并不低，512Mb价格恐难守住0.8美元价位。
根据集邦科技昨晚最新报价，DRAM现货价急跌状况稍有改善，512Mb DDRII有效测试颗粒（eTT）力守0.8美元，并未持续下探，但近一个月来，价格大跌超过23%，业者亏损状况恐明显大于第三季；11月上旬合约均价则下跌5.25%，报价为1.13美元，与第三季末相较，跌幅超过35%，都让业者第四季获利乐观不起来。
分析师说，合约价与现货价差已达三成，业者第四季亏损状况会有所差异。力晶因现货市场比重高，亏损状况最受关切；南科（2408）合约市场比重较高，亏损恶化程度相对较小。
DRAM价格暴跌，类股股价随势下修，年初迄今，力晶、茂德（5387）、南科股价都濒临腰斩，也都已跌破净值，昨天在短线跌幅已大，且美光强势大涨6.55%带动下，出线久违的猛烈攻势，力晶盘中率先亮灯涨停锁住，带动茂德、南科、华亚科同步大涨。
法人指出，DRAM产业变量仍多，业者亏损压力未减，基本面未有起色，且美光已将重心淡出标准型DRAM业务，在三星等韩系DRAM厂未有显著减产动作前，价格暴跌的冲击，仍将影响第四季获利。
业者透露，DRAM厂升级到70奈米制程，虽然让每单位晶圆产出增加，但每片晶圆生产成本要价1,500美元，加上良率仅在八成附近，换算下来，成本并没有比每单位产出较少、一片要价仅1,100美元，但良率在九成以上的90奈米技术有特别显著的竞争力。
分析师也说，业者生产愈多，赔得愈多，并没有在70奈米上讨到什么便宜。
集邦科技认为，今年DRAM位成长约90%，第四季仍将处于供过于求，估计将持续至明年第二季，尤其现货市场库存水位并不低，512Mb价格恐难守住0.8美元价位。