FSI国际在硅化物形成步骤中金属剥离技术取得突破
FSI 国际有限公司(Nasdaq: FSII)日前宣布，公司已成功地采用FSI ViPR™技术在自对准多晶硅化物形成后去除了未反应的金属薄膜。通过实现这一新的工艺，IC制造商可以在钴、镍和镍铂硅化物集成过程中，大幅度减少化学品的使用和降低对资金的要求。新订购的FSI ZETA® Spray Cleaning System喷雾式清洗系统中已经采用了FSI ViPR™技术，并将用于升级最近已经在生产现场安装的系统。
镍铂硅化物最早应用于65nm逻辑器件，因为它的阻抗更低，从而可实现器件性能的大幅改善。但在早期应用中，业界发现在不损害镍铂硅化物区域的情况下，去除未反应的镍和铂是非常有挑战性的。在2005年，FSI凭借其新开发的镍铂剥离工艺解决了这一问题。
随着业界使用镍铂硅化物的经验增加，IC制造商观察到更低的硅化物形成温度可降低结泄漏电流。不过，这一温度更低的工艺在金属去除步骤中带来了其它的复杂性，并使得高良率的集成方案无法实现。新的基于FSI ViPR™的工艺没有这一限制，从而使得这样一个低成本、高良率低温退火镍铂硅化物工艺得以实现。
“通过持续发展我们的ViPR™工艺来解决更多的制造问题，我们的客户从生产力和工艺改善中持续地得到了好处，”FSI董事长兼首席执行官Don Mitchell说，“能够在现有的机台上为业界提供新的解决方案，我们总是感到很高兴，因为这可在为未来几代技术提供扩展性的同时，进一步降低客户的成本。”
FSI的ViPR™技术最早在2006年推出时针对的是全湿法光刻胶去除，当时它是用作一种取消光刻胶掩膜去除顺序上的灰化步骤的方法。取消灰化引起的损害带来了更低的材料损失、缩短了周期时间和降低了总的资金投入。ViPR™技术目前正被一些全球最大的集成电路制造商在制造工艺中实施。
ZETA® 系统使用离心喷雾和多功能化学品传送技术，在一个成分和温度可控的情况下准备化学制品，以直接扩散到晶圆表面上。ZETA® 系统已在很宽范围的应用中得到了验证，包括用于硅化物形成的钴和镍蚀刻、光刻胶剥离和灰后后清洗、非超声波法的粒子去除和晶圆回收。
关于FSI：
FSI国际有限公司是一家为微电子制造提供表面处理设备技术及支持服务的全球性的供应商。通过使用公司产品组合中的多晶圆批量和单晶圆的浸泡式、旋转喷雾式、汽相和超凝态过冷动力学等一整套清洗技术产品，客户能够实现他们的工艺性能、灵活性和生产能力目标。
镍铂硅化物最早应用于65nm逻辑器件，因为它的阻抗更低，从而可实现器件性能的大幅改善。但在早期应用中，业界发现在不损害镍铂硅化物区域的情况下，去除未反应的镍和铂是非常有挑战性的。在2005年，FSI凭借其新开发的镍铂剥离工艺解决了这一问题。
随着业界使用镍铂硅化物的经验增加，IC制造商观察到更低的硅化物形成温度可降低结泄漏电流。不过，这一温度更低的工艺在金属去除步骤中带来了其它的复杂性，并使得高良率的集成方案无法实现。新的基于FSI ViPR™的工艺没有这一限制，从而使得这样一个低成本、高良率低温退火镍铂硅化物工艺得以实现。
“通过持续发展我们的ViPR™工艺来解决更多的制造问题，我们的客户从生产力和工艺改善中持续地得到了好处，”FSI董事长兼首席执行官Don Mitchell说，“能够在现有的机台上为业界提供新的解决方案，我们总是感到很高兴，因为这可在为未来几代技术提供扩展性的同时，进一步降低客户的成本。”
FSI的ViPR™技术最早在2006年推出时针对的是全湿法光刻胶去除，当时它是用作一种取消光刻胶掩膜去除顺序上的灰化步骤的方法。取消灰化引起的损害带来了更低的材料损失、缩短了周期时间和降低了总的资金投入。ViPR™技术目前正被一些全球最大的集成电路制造商在制造工艺中实施。
ZETA® 系统使用离心喷雾和多功能化学品传送技术，在一个成分和温度可控的情况下准备化学制品，以直接扩散到晶圆表面上。ZETA® 系统已在很宽范围的应用中得到了验证，包括用于硅化物形成的钴和镍蚀刻、光刻胶剥离和灰后后清洗、非超声波法的粒子去除和晶圆回收。
关于FSI：
FSI国际有限公司是一家为微电子制造提供表面处理设备技术及支持服务的全球性的供应商。通过使用公司产品组合中的多晶圆批量和单晶圆的浸泡式、旋转喷雾式、汽相和超凝态过冷动力学等一整套清洗技术产品，客户能够实现他们的工艺性能、灵活性和生产能力目标。