奇梦达与尔必达签订战略技术发展合作协议
两大全球领先的内存供货商奇梦达公司与尔必达公司11日宣布签订战略技术合作合约，共同发展内存芯片。这项合作将会有助于加速及强化双方技术领先的地位。
以奇梦达创新的Buried Wordline技术和尔必达先进的堆栈式技术为基础，双方将会共同发展技术平台和设计规范。两家公司计划在2010 年推出由双方共同开发、达到40纳米世代的创新4F² cell概念，未来并将进一步推展至30纳米世代。双方也锁定在各自的日本广岛及德国德勒斯登厂开展密切合作的研发计划，其中包括双方工程师的互换交流。与此同时，双方也同意在直通硅晶穿孔技术(Through Silicon Via) 和未来内存开发的领域中寻求共同发展机会，以及可能合资生产的机会。
双方还建立了广泛的知识产权交叉许可关系，这使得两家公司能够在产品和技术的发展上有更多自由发展的空间。
“自从与尔必达洽谈合作开始，双方在技术创新的共识已经让我们建立了非常好的关系，正因如此，我们才能够非常迅速地达成了明确的共同发展协议，与尔必达的合作是我们在策略蓝图上另一个重要的里程碑。”奇梦达的总裁兼CEO罗建华表示：“奇梦达在成功转型为拥有多种DRAM产品的供货商，并且发布了突破性的Buried Wordline 技术之后，为能更加支持我们非PC内存产品多样化的商业模式，奇梦达现在开始重新调整策略伙伴结构。”
尔必达的总裁兼CEO坂本幸雄说：“在这么短的时间内和奇梦达完成了合约的协商，双方已奠定更紧密扎实的合作基础。尔必达和奇梦达的技术合作，不但加速先进产品的发展，同时也让尔必达朝世界第一DRAM供货商的目标加速迈进。”
以奇梦达创新的Buried Wordline技术和尔必达先进的堆栈式技术为基础，双方将会共同发展技术平台和设计规范。两家公司计划在2010 年推出由双方共同开发、达到40纳米世代的创新4F² cell概念，未来并将进一步推展至30纳米世代。双方也锁定在各自的日本广岛及德国德勒斯登厂开展密切合作的研发计划，其中包括双方工程师的互换交流。与此同时，双方也同意在直通硅晶穿孔技术(Through Silicon Via) 和未来内存开发的领域中寻求共同发展机会，以及可能合资生产的机会。
双方还建立了广泛的知识产权交叉许可关系，这使得两家公司能够在产品和技术的发展上有更多自由发展的空间。
“自从与尔必达洽谈合作开始，双方在技术创新的共识已经让我们建立了非常好的关系，正因如此，我们才能够非常迅速地达成了明确的共同发展协议，与尔必达的合作是我们在策略蓝图上另一个重要的里程碑。”奇梦达的总裁兼CEO罗建华表示：“奇梦达在成功转型为拥有多种DRAM产品的供货商，并且发布了突破性的Buried Wordline 技术之后，为能更加支持我们非PC内存产品多样化的商业模式，奇梦达现在开始重新调整策略伙伴结构。”
尔必达的总裁兼CEO坂本幸雄说：“在这么短的时间内和奇梦达完成了合约的协商，双方已奠定更紧密扎实的合作基础。尔必达和奇梦达的技术合作，不但加速先进产品的发展，同时也让尔必达朝世界第一DRAM供货商的目标加速迈进。”