DRAM现货价走势对相关厂商营运分析

DRAM现货价走势对相关厂商营运分析

     DRAM现货价格再现曙光，512Mb DDRII有效测试颗粒（eTT）均价本周(24-28日)以来大涨近一成，出乎业者原预期，集邦科技（DRAMeXchange）27日报价，512Mb DDRII有效测试颗粒价格最高冲上0.95美元，年底前可望收复1美元关卡。
    
     业界认为，目前需求确实有比预期好些，但「作帐行情」才是推升价格上扬的主力。
    
     分析师指出，12月整体DRAM合约价已下修逾一成，反应前波现货价大跌影响，如今现货价格回稳，也将激励合约价往后止跌，不仅主攻现货市场的力晶可先喘口气，包括南科、茂德等合约市场比重高的DRAM厂，也将受惠。
    
     DRAM市场进入年底作帐，原厂与模块商受到库存跌价影响，近期不再低价抛售，以期年底财报不用大举提列库存跌价损失，正因如此，这两个月下跌逾五成的DDR，近期出现可观反弹，重新挑战1美元的价位。
    
     但就近几天价格回弹来看，应该与圣诞节前客户降低库存水位，如今假期迈入尾声，陆续回补库存所致，至于能否真的在年底前重新站回1美元大关，目前采「审慎乐观」态度面对。
    
     先前力晶集团董事长黄崇仁表示，明年3月DRAM需求可望回温。
    
     业者表示，农历春节科技产品买气被寄予厚望，大陆1月DRAM及闪存备料，以及2月春节过后的补货行情近期带动市场买气，由于第一季进入晶圆厂岁修阶段，实际产出颗粒将明显短少，加上碰上中国农历年买气出笼，后势价格将审慎乐观。
    
     集邦科技最新报价，512Mb DDRII有效测试颗粒价格离1 美元关卡近在咫尺，均价也站稳0.9美元以上，过去一周(24-28日)来由0.8美元附近起涨，涨幅近一成。
    
     现货价格反弹，业者营运压力大减。力晶（5346）现货市场出货比重最高，将率先受惠。27日股价上涨0.35元、收12.9 元，成交量近3.7万张。
    
     包括南科（2408）、茂德（5387）、华亚科（3474）等27日股价也群起收红；先前股价跌深的下游内存模块厂走势更是强劲，威刚（3260）、劲永（6145）都曾攻上涨停，创见（2451）也大涨逾5%。
    
     集邦认为，台湾部分DRAM制造商近期考虑在明年农历年期间进行岁休，可望成为「变相减产」，减少产出幅度约在10%至25%，有助明年第一季DRAM价格反弹。目前已有奇梦达宣布欧洲地区少量减产，将有助减少市场供给，有利价格走势。