业界评析:DRAM价格持续低迷 NAND闪存深怕被拖累

来源:存储时代 作者: 时间:2007-05-17 17:23

     近期DRAM价格异常疲软,传统淡季效应表现得淋漓尽致,512Mb的DDR2 eTT颗粒价格再度大跌,目前已接近1.5美元关卡,主要是PC市场人气不足所致,虽然有部分业者仍在期待Vista效应,但似乎在慢慢失效。更多的业者担心,如果DRAM价格再跌下去,目前价格稳定的 NAND 型闪存压力也不小,毕竟DRAM和NAND闪存目前已是内存产能中跷跷板的两端,若有一方过于失常,都会影响到另一方的供需平衡。
    
     三星电子(Samsung Electronics)日前表示,自2007年3月开始,终端市场对1GB容量DRAM模组的需求量已超过512MB,且现而且现在的DRAM芯片价格对于鼓励消费者升级至2GB模组是相当有吸引力的。
    
     然而尽管如此,目前正处于传统淡季时期,整体大环境的DRAM需求其实仍是相当萎靡不振,虽然DRAM模组的主流容量已是1GB,但要再鼓励消费者升级至1.5GB或是2GB的模组容量,似乎要再多一些诱惑力才行,也就是说,DRAM要再便宜一点。
    
     2007年下半年还会不会有Vista效应,目前各界的看法是从满怀希望,逐渐已变成不抱希望,2006年底就是因为对整体PC 产业的Vista效应怀抱太大希望,不少PC大厂不断囤积库存,到了2007年初,DRAM市场陷入供过于求,芯片价格一路下滑,自此都没有反弹过,现在512Mb的DDR2 eTT颗粒价格更是再探1.5美元关卡,需求相当疲弱。
    
     然值得注意的是,虽然目前NAND闪存价格相当稳定,主要是上游大厂的供给量不足,使得整个NAND闪存市场在传统淡季期间,价格还得以维持,然大家也相当担心,NAND闪存和DRAM毕竟是生命共同体,双方共享同样的内存大厂产能,若是DRAM景气再恶化下去,下半年恐拖垮NAND闪存的景气。
    
     DRAM和NAND闪存是分属于不同的应用领域,DRAM市场荣枯主要是紧系PC 产业的需求,而NAND闪存则是偏向消费端的应用,包括数码相机、U盘、手机等领域,都是牵动NAND闪存供需的关键,但这两项产品线都是目前内存大厂产能分配的主力,因此DRAM和NAND闪存可说是跷跷板的两端,任何一方的供需情况,都会影响另一方。
    
     DRAM和NAND闪存同时大好当然是最佳状况,但事实上,这两项产品很少同时缺货,像是2005年因为iPod nano热卖之故,导致NAND闪存呈现大缺货,价格大幅上扬,但DRAM市场的景气则是相当惨淡;大家最不愿见到的情况是,然DRAM和NAND闪存两者的景气同时沉沦,虽然这种机率或许不高,但由于眼前不断往下的DRAM价格,已让不少人开始担心。
    
     依目前情况分析,市场对2007年下半NAND闪存景气的预期不错,不过这是基于苹果在下半年推出的iPod nano和iPhone将形成热卖的预期,连带提升对NAND闪存的需求。因此三星电子、海力士(Hynix)等预定的NAND闪存产能,都是超乎内存大厂的预期需求量。
    
     相对的,市场对于NAND闪存新应用上,尤其是固态盘,态度可能就比较保守,因为市场普遍认为目前的NAND闪存价格尚不足以取代硬盘,因此要到2008年之后,固态盘的效应才会显现。
    
     整体而言,若是苹果iPod nano和iPhone销售状况如预期,能消耗这么多的NAND闪存,那整个市场的供需就不需要如此担心了,然而如果苹果的销售量低于预期,且DRAM市场的需求继续的萎靡不振,那届时NAND闪存产业的景气恐怕就要开始令人担心了。
    
    

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