MLC事件导致订单大风吹 恐引爆控制晶片产业洗牌效应
来源: 作者: 时间:2006-11-20 07:36
三星电子(Samsung Electronics)63奈米制程的MLC(Multi-Level Cell)控制晶片更改架构,所引发控制晶片支援问题,至今已延烧将近1个月,此事件影响层面,除了是整个NAND型快闪记忆体(Flash)产业由SLC(Single-Level-Cell)制程转移至MLC制程受阻碍外,背后恐牵涉到整个控制晶片产业的订单大风吹,引发洗牌效应!
三星发展MLC制程由于较日厂东芝(Toshiba)晚,因此一直以来风波不断,虽然下半年三星MLC制程已步入量产,然这次控制晶片设计公司的脚步,似乎没有如期跟上,当然也有一说是,三星更改63奈米制程设计的架构,控制晶片业者来不及对现有产品作修正。
由于这次控制晶片的支援度事件,影响层面牵涉到整个NAND型Flash产业,由SLC制程世代转移至MLC世代受到阻碍,因此包括三星、控制晶片业者、模组厂、记忆卡厂等都是心急如焚,因此,唯有将此事件尽快解决,整个NAND型Flash产业的MLC世代才能顺利来临。
毕竟三星对于2007年MLC制程的规划,预计将达整体NAND型Flash出货量的80~90%,对于以三星为首的台湾客户,自然是相当紧张。
而值得注意的是,这次三星的MLC事件,部份转单效已在枱面下隐隐发作,由于之前记忆卡厂的新产品进度因此受到递延,因此目前是谁的MLC技术支援度最稳定、成熟,客户将紧急优先考虑。
过去在记忆卡控制晶片领域上,一直处于第二来源(Second Source)或是无法打入大客户的设计公司,目前已陆续利用此机会,积极切入抢单,之后整个产业所引发的订单洗牌战,相当值得进一步关注。