GaN挑战硅器件市场 未来两年复合年增率将达80%

     　据市场调研公司Yole Developpement，2007年氮化镓(GaN)射频器件市场为1,700万美元。该市场65%属于研发、17%属于国防和卫星、16%属于3G基站和2%属于LTE/WiMax应用。
    
    　　由于GaN在LTE/WiMax领域的强劲渗透，Yole预测GaN RF晶体管市场到2010年将增长到1亿美元左右，而2008年约为3,000万美元。这意味着2008-2010年复合年增长率为80%。
    
    　　Yole预测，2012年GaN市场的研发比例将下降至6%，国防与卫星所占比例将上升至27%，3G基站所占比例将上升到31%，LTE和WiMax所占比例将上升到29%。广播市场将占4%。Yole没有预测2012年GaN市场将达到多大的规模。
    
    　　Yole化合物半导体项目经理Philippe Roussel在声明中表示：“这些GaN器件目前正在挑战硅在工业领域中的主导地位，预计2008年工业领域中的功率半导体市场规模约为9亿美元。”
    
    　　直到2005年，硅LDMOS占2-GHz或更高频率上的高功率RF放大应用的比例约为90%，其余市场由GaAs pHEMT技术占据。