台积电揭露32纳米制程时间表 盼明年完成核心研发

    　　台积电32纳米制程技术2009年将正式完成研发，台积电研发处长严涛南8日表示，希望2009年完成32纳米最核心的微显影研发阶段，这也是台积电首次公开揭露32纳米制程的时间表。半导体业者认为，才宣示全力推展开放创新平台(Open Innovation Platform；OIP)的台积电，将与特许(Chartered Semiconductor)共通平台(Common Platform；CP)于32纳米正式对垒，而特许背后主导者，正是台积电多年的技术劲敌IBM。
    
    　　随着台积电40纳米即将于2009年快速大量生产，并结合内部的设计流程、外部与设计服务业者创意的合作，45/40纳米的设计案已显得相当成熟，而65纳米研发团队也已经转而支持32纳米研发团队，全力抢进32纳米制程技术。台积电研发处长严涛南语带保守地说，台积电希望2009年完成32纳米制程技术的研发阶段；同时，他认为，22纳米亦将遵循摩尔定律每2年1个世代的速度往前，外界初估约2012年之后。
    
    　　目前台积电参与的研发组织包括比利时的前端半导体技术研究中心IMEC及Sematech，联电也在2008年宣布加入Sematech。台积电除了参与这些国际型的先进半导体研究组织，主要透过内部研发走自己的路，并建置独特的创新开放技术平台OIP。综观目前半导体领域除了英特尔(Intel)以外，建置技术平台的当属以IBM为首的共通平台及台积电的OIP这2两大技术平台。
    
    　　值得注意的是，台积电在45纳米正式引进高k/金属栅电极新材料制程，外界认为，台积电45/40采用新材料是为了替代工处理器(CPU) 预先准备，而高k/金属栅电极真正正式大量运用生产则将在32纳米；同样的，特许也将在32纳米开始引进高k/金属栅电极。目前特许正积极与共通平台其它伙伴成员通力合作，而台积电的OIP则与之相抗衡。
    
    　　半导体业者分析，在进入32纳米制程技术世代之后，大概将形成CP与OIP对垒的局面，而目前特许则选择在22纳米以下将继续投效CP，而台积电则延续自行研发的路数，目前在22纳米同时押宝深紫外光(EUV)及电子束(e-beam)。