半导体异质结构的应用
(1)发光组件(light emitting devices, LED)：
因为半导体异质结构能将电子与电洞局限在中间层内，电子与电洞的复合率因而增加，所以发光的效率较大；同时改变量子井的宽度亦可以控制发光的频率，所以现今的半导体发光组件，大都是由异质结构所组成的。半导体异质结构发光组件，相较其它发光组件，具有高效率、省电、耐用等优点，因此广泛应用于剎车灯、交通号志灯、户外展示灯等。
(2)雷射二极管：
半导体雷射二极管的基本构造，与上述的发光组件极为类似，只不过是雷射二极管必须考虑到受激发光(stimulated emission)与共振的条件。使用半导体异质结构，因电子与电洞很容易掉到中间层，因此载子数目反转(population inversion)较易达成，这是具有受激发光的必要条件，而且电子与电洞因被局限在中间层内，其结合率较大。此外，两旁夹层的折射率与中间层不同，因而可以将光局限在中间层，致使光不会流失，而增加雷射强度，是故利异质结构制作雷射，有很大的优点。
(3)异质结构双极晶体管：(heterojunction bipolar transistor, HBT)
在半导体异质结构中，中间层有较低的能带，因此电子很容易就由旁边的夹层注入，是故在晶体管中由射极经过基极到集极的电流，就可以大为提高，晶体管的放大倍率也为之增加；同时基极的厚度可以减小，其掺杂浓度可以增加，因而反应速率变大，所以异质结构得以制作快速晶体管。
(4)高速电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor, HEMT)
高速电子迁移率晶体管，就是利用半导体异质结构中杂质与电子在空间能被分隔的优点，因此电子得以有很高的迁移率。在此结构中，改变闸极(gate)的电压，就可以控制由源极(source)到泄极(drain)的电流，而达到放大的目的。因该组件具有很高的向应频率(600GHz)且低噪声的优点，因此广泛应用于无限与太空通讯，以及天文观测。
(5)其它应用：
半导体异质结构除了用于上述组件外，亦大量使用于其它光电组件，如光侦测器、太阳电池、标准电阻或是光电调制器等。
因为半导体异质结构能将电子与电洞局限在中间层内，电子与电洞的复合率因而增加，所以发光的效率较大；同时改变量子井的宽度亦可以控制发光的频率，所以现今的半导体发光组件，大都是由异质结构所组成的。半导体异质结构发光组件，相较其它发光组件，具有高效率、省电、耐用等优点，因此广泛应用于剎车灯、交通号志灯、户外展示灯等。
(2)雷射二极管：
半导体雷射二极管的基本构造，与上述的发光组件极为类似，只不过是雷射二极管必须考虑到受激发光(stimulated emission)与共振的条件。使用半导体异质结构，因电子与电洞很容易掉到中间层，因此载子数目反转(population inversion)较易达成，这是具有受激发光的必要条件，而且电子与电洞因被局限在中间层内，其结合率较大。此外，两旁夹层的折射率与中间层不同，因而可以将光局限在中间层，致使光不会流失，而增加雷射强度，是故利异质结构制作雷射，有很大的优点。
(3)异质结构双极晶体管：(heterojunction bipolar transistor, HBT)
在半导体异质结构中，中间层有较低的能带，因此电子很容易就由旁边的夹层注入，是故在晶体管中由射极经过基极到集极的电流，就可以大为提高，晶体管的放大倍率也为之增加；同时基极的厚度可以减小，其掺杂浓度可以增加，因而反应速率变大，所以异质结构得以制作快速晶体管。
(4)高速电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor, HEMT)
高速电子迁移率晶体管，就是利用半导体异质结构中杂质与电子在空间能被分隔的优点，因此电子得以有很高的迁移率。在此结构中，改变闸极(gate)的电压，就可以控制由源极(source)到泄极(drain)的电流，而达到放大的目的。因该组件具有很高的向应频率(600GHz)且低噪声的优点，因此广泛应用于无限与太空通讯，以及天文观测。
(5)其它应用：
半导体异质结构除了用于上述组件外，亦大量使用于其它光电组件，如光侦测器、太阳电池、标准电阻或是光电调制器等。