台积电确认40nm工艺推迟至2009年

     据中国半导体行业协会报道，台积电近日确认了有关40nm工艺推迟至2009年的消息，但没有提供更多细节。
    
     在台积电第四座12英寸晶圆厂“P4”的开工典礼上，CEO蔡力行称台积电的12英寸晶圆增产正在按计划进行，而40nm新工艺会于明年在另一座12英寸晶圆厂“Fab 14”投产，现在已经开始计划迁入设备。
    
     台积电最早打算在今年晚些时候投产40nm工艺芯片，但近来有消息称已经推迟到明年2-3月份，可能会对ATI的RV740、RV870产生一定影响。蔡力行的话无疑从侧面确认了这一消息，但他并没有给出具体时间表。
    
     蔡力行同时表示，P4工厂的设备迁入工作将在今年底开始，投产后初期每月可生产3.5万块12英寸晶圆，但Fab 14的40nm晶圆产量还没有定下确切数字。