海力士研发出40奈米级内存芯片

海力士研发出40奈米级内存芯片

     南韩的海力士半导体公司（Hynix Semiconductor）昨天宣布，已使用最细微技术研发出全球密度最高内存芯片。海力士这种崭新的「DDR3 DRAM」（DDR3动态随机存取内存）芯片采用的技术，能让内部线路相距仅40奈米，细微度是目前产品的1/5。
    
     一奈米等于10亿分之一公尺。制程越细微，制造内存芯片的技术越先进，此芯片广泛应用于计算机和其它电子装置。
    
     海力士表示，这项新产品的生产效率较现有芯片提升50%，因为比现有制程耗费更少能源和成本。海力士说，将从今年第三季开始量产。
    
     海力士发言人说：「海力士成为成功应用40奈米级技术至DDR3 DRAM芯片的全球首家厂商。研发出此新芯片，将有助于海力士在快速变迁的内存芯片市场继续维持领先地位。」
    
     全球经济下滑严重打击内存芯片产业，由于全球需求剧跌，日本东芝公司（Toshiba）被迫减产，台湾多家主要厂商也寻求政府纾困。