FSI国际宣布将ViPR™全湿法去除技术扩展到NAND存储器制造

    
    
    
     美国明尼阿波利斯（2009年3月24日）——全球领先的半导体制造晶圆加工、清洗和表面处理设备供应商FSI国际有限公司（纳斯达克：FSII）今日宣布：一家主要的存储器制造商将FSI 带有独特ViPR™全湿法无灰化清洗技术的ZETA®清洗系统扩展到NAND闪存生产中。许多器件制造商对采用FSI的ZETA ViPR技术在自对准多晶硅化物形成过程所带来的益处非常了解。该IC制造商就这一机台在先进的NAND制造中可免除灰化引发损害的全湿法光刻胶去除能力进行了评估。客户对制造过程中无灰化光刻胶剥离法、实现用一步工艺替代灰化-清洗两步工艺的机台能力给予肯定。除了减少缺陷外，用户们还受益于通过一步工艺缩短了总的工厂生产流转周期。
    
     “NAND 技术持续引领器件尺寸缩化的步伐”FSI总裁兼首席执行官Don Mitchell说道。“ZETA ViPR 扩展到NAND制造，验证了先进工艺中的全湿法去除的关键增值点——其价值只会随着器件尺寸的不断缩小而增加。我们为客户提供的这一种真正的差异化工艺是卓有成效的，它能够实现缩短生产周期、减少资本支出以及降低运作成本。
    
     对ZETA ViPR技术不断提高的认可度，源自其在大多数光刻胶去除工序中免去灰化工艺和自对准金属硅化物工艺之后能有效去除残留金属的能力。对于光刻胶的去除, 除了最极端注入情况以外，ZETA ViPR工艺实现的独有化学反应都可以单独通过湿法化学反应完成光刻胶去除。ViPR技术的应用不仅省去了灰化所需时间和成本，还免除了由灰化炉造成的损伤和掺杂剂/底材损耗。对于自对准金属硅化物工艺之后的金属去除，ZETA ViPR工艺可有效去除未反应的金属，同时不损坏自对准金属硅化物。特别是通过与非常先进的NiPt自对准金属硅化物工艺成功结合，可采用更低退火温度来减少接面漏电，从而提高了工艺的良品率。