台积电完成0.18微米快闪新制程认证 Q3量产相关产品
台积电 (2330-TW；TSM-US)今(31)宣布完成0.18微米嵌入式闪存(0.18-micron embFlash)制程认证，此制程因有低漏电的特性，因此适用于手持式装置与汽车电子等芯片应用上，有助于台积电争取更多新客户，预计今年第3季就可以量产。
台积电目前已经拥有0.25微米到90奈米的嵌入式闪存制程技术，过去在相关市场也都有提供服务，也已贡献营收。而目前因看好模拟、功率、汽车电子等芯片市场，因此增加及更新了0.18微米的相关技术，希望能替既有客户提供服务，同时也争取相关新客户。
台积电指出，0.18-micron embFlash制程不仅可扩充台积电在相关市场的产品线，且该制程只需要用到 7层的光罩，目前就可在台积3厂量产投片。
此外，台积电0.18微米超低漏电嵌入式闪存制程也瞄准省电的手持装置内建处理器等芯片；在 1.8伏特电压下，可较标准化制程减少95%的漏电；且此制程闪存IP将可在待机电流下减少 80%耗能，以及在有效电流下减少60%耗能，预计今年第3季就可提供客户量产。
台积电目前已经拥有0.25微米到90奈米的嵌入式闪存制程技术，过去在相关市场也都有提供服务，也已贡献营收。而目前因看好模拟、功率、汽车电子等芯片市场，因此增加及更新了0.18微米的相关技术，希望能替既有客户提供服务，同时也争取相关新客户。
台积电指出，0.18-micron embFlash制程不仅可扩充台积电在相关市场的产品线，且该制程只需要用到 7层的光罩，目前就可在台积3厂量产投片。
此外，台积电0.18微米超低漏电嵌入式闪存制程也瞄准省电的手持装置内建处理器等芯片；在 1.8伏特电压下，可较标准化制程减少95%的漏电；且此制程闪存IP将可在待机电流下减少 80%耗能，以及在有效电流下减少60%耗能，预计今年第3季就可提供客户量产。