MOSFET封装节省占板空间并提高充电器性能
Diodes公司应用的高热效率、超小型DFN封装的双器件组合技术,推出便携式充电设备的开关。
Diodes 亚太区技术市场总监梁后权先生指出，DMS2220LFDB和 DMS2120LFWB把一个20V的P沟道增强模式MOSFET与一个配套二极管组合封装，提供2mm x 2mm DFN2020及3mm x 2mm DFN3020两种封装以供选择。DMP2160UFDB则把两个相同的MOSFET组合封装成DFN2020形式。
与传统便携式应用设计中常用的体积较大的3mm x 3mm封装相比，DFN2020节省了55%的PCB空间；仅0.5mm的板外高度，也比传统封装薄了50%，符合下一代产品设计的要求。用于这些封装的MOSFET均具有低栅电荷，在 1.8V VGS下的典型R DS(ON)为86mΩ，以确保开关及导通损耗最小。
为了进一步提升效率，应用于这些封装的二极管是Diodes自己的高性能超势垒整流器 (SBR)。凭借其仅有0.42V的典型低正向压降，SBR的功率损耗远低于传统肖特基二极管。
Diodes 亚太区技术市场总监梁后权先生指出，DMS2220LFDB和 DMS2120LFWB把一个20V的P沟道增强模式MOSFET与一个配套二极管组合封装，提供2mm x 2mm DFN2020及3mm x 2mm DFN3020两种封装以供选择。DMP2160UFDB则把两个相同的MOSFET组合封装成DFN2020形式。
与传统便携式应用设计中常用的体积较大的3mm x 3mm封装相比，DFN2020节省了55%的PCB空间；仅0.5mm的板外高度，也比传统封装薄了50%，符合下一代产品设计的要求。用于这些封装的MOSFET均具有低栅电荷，在 1.8V VGS下的典型R DS(ON)为86mΩ，以确保开关及导通损耗最小。
为了进一步提升效率，应用于这些封装的二极管是Diodes自己的高性能超势垒整流器 (SBR)。凭借其仅有0.42V的典型低正向压降，SBR的功率损耗远低于传统肖特基二极管。
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