海力士、LG、三星、Silicon签协议建下一代内存接口技术规范

海力士、LG、三星、Silicon签协议建下一代内存接口技术规范

     海力士半导体公司 (Hynix Semiconductor, Inc.，other-otc:HXSCF)、LG Electronics (KRX:066570)、三星电子株式会社 (other-otc:SSNLF) 和Silicon Image公司 (那斯达克股票代码：SIMG) 今天宣布组成一个产业联盟，推广串行端口内存技术 (SPMT™) 在市场的应用，努力使之成为产业标准。作为第一个针对动态随机存取内存 (DRAM) 的内存规范，SPMT将首先把目标瞄准手机市场，推动产生能够执行数据高度密集的丰富媒体应用、同时电池寿命更长的新一代行动装置。
    
     SPMT, LLC的首席技术顾问Jim Venable表示：「很高兴看到这几家顶尖公司携手合作，共同成立SPMT联盟来开发和推广一种新的内存接口架构规范，以满足丰富媒体行动装置不断发展的需求。串行端口内存技术将成为业界科技发展的一大步，将为手机设计人员开发新一代产品提供全新的视野。」
    
     未来随着手机具备越来越多计算机中的常见功能，以及手机和手持式丰富媒体装置间的界限越来越趋于模糊，为满足对更大频宽以及低功耗和低成本的需求，新型的内存架构就必不可少。
    
     海力士半导体内存产品部资深副总裁JB Kim表示：「成功的行动产品解决方案不仅要实现更多的功能和特点，还要想办法延长电池寿命。SPMT已经为满足前端行动装置的需求做好了准备，SPMT工作团队将为这一不断发展的市场定义下一代内存接口的标准，能成为该团队的一份子我们感到十分自豪。」
    
     成立SPMT联盟的宗旨是为实现新一代行动装置所需的频宽弹性和延展性提供对应的技术，同时大幅减少插脚数量 (pin count)，降低功耗及成本。
    
     SPMT联盟的创始成员 (推广者) 组成该组织的管理机构，并与贡献成员一道，负责开发具有以下特点的SPMT规范：
    
     与现有DRAM技术相比插脚数量降低至少40%；
    
     弹性的频宽，从200 MB/s到12.6 GB/s及以上不等；
    
     连接至单一SPMT内存芯片的单一或多端口配置
    
     LG Electronics研发采购部门的Myung Ryu表示：「随着行动手机装置的升级换代，对由超先进内存设备支持的丰富媒体应用的需求将不断成长。作为推广者加入SPMT联盟将帮助我们确保未来发布新产品时业界已经拥有对应的技术支持。」
    
     三星电子内存产品部的副总裁Seijin Kim表示：「三星一直为推出设计简单小巧的新产品而不断开发先进的技术和流程。我们很高兴能与SPMT联盟合作。」
    
     Silicon Image公司业务发展和智慧财产权授权部门副总裁Eric Almgren表示：「我们盼望着为SPMT标准贡献我们的高速串行技术及专长。随着像高画质1080p视讯这样的新应用现身手机市场，要实现这类功能，先进的内存技术就必不可少。SPMT已经做好准备在市场上发挥主导作用。」