JSR开发出两次图形曝光用光刻胶 实现26nm半节距

JSR开发出两次图形曝光用光刻胶 实现26nm半节距

     日本JSR成功开发出了22nm级以后的光刻（Lithography）技术——两次图形曝光（Double Patterning）用ArF光刻胶，形成了半间距为26nm的电路图形。该ArF光刻胶为自交联型（Self Crosslinking），具有热硬化性质。 　　
    
     两次图形曝光除了连续2次曝光后进行蚀刻的方法之外，还包括反复操作2次曝光及蚀刻的方法。JSR于2008年3月发布了采用前一种方法的两次图形曝光用“凝固（Freezing）材料”。凝固材料是起凝固作用的材料，目的是使最初形成的光刻胶图形不溶于第二次涂布时使用的光刻胶溶剂中。 　　
    
     另外，此次开发的光刻胶主要用于采用后一种方法的两次图形曝光。如果在第一次形成图形时采用此次开发的光刻胶，经过加热处理，会使材料硬化。因此，第二次形成图形时，光刻胶不会溶解，无需使用凝固材料。此次的光刻胶还确保了与现有光刻胶同等的性能。另外，第二次形成图形时，可采用JSR现有的ArF光刻胶。