美光年底导入40纳米 为明年大战暖身

     三星电子(Samsung　Electronics)、海力士(Hynix)40纳米制程开始试产，尔必达(Elpida)也考虑在2010年直接从65纳米跳至40纳米制程，美光计划年底在新加坡12寸厂率先导入40纳米制程，将成为美光旗下第1个导入40纳米制程的厂房，为2010年40纳米大战来临作暖身！美光指出，虽然现在多家DRAM厂开始复工生产，但多是采用落后制程生产，也很难募得新资金升级机器设备，因此不认为全球DRAM产业供需会因此恶化。
    
     美光表示，2009、2010年对美光而言，最大的挑战是从目前的68纳米和华亚科的70纳米制程，大量转进50纳米制程，就技术角度而言相当艰钜，且同时也需要庞大的资金挹注，才能完成整个转换过程。
    
     美光分析，在50纳米制程上，预计每生产每1,000片晶圆，每1个月投资金额约1,200万美元，但到了40纳米制程6F2技术上，同样生产1,000片晶圆，每1个月投资金额只需要400万美元，而转进40纳米制程4F2技术后，投资金额可再下降至200万美元，由此可知，整个转换制程的过程中，转进50纳米制程最花钱，但只要完成此阶段性任务，未来40纳米之后的投资额，相对轻松很多。
    
     美光表示，最早由68纳米转进50纳米制程的是美国麻州Virginia厂，目前良率已大幅提升，估计此厂房到年底将有4分之1产能会转进50纳米制程，华亚科则会再下半年开始进入50纳米制程，届时美光的50纳米制程将可大量生产。
    
     2010年即将来临的40纳米大战，三星和海力士目前进度最快，尔必达虽然目前制程仍停留在65纳米制程，但也考虑跳过50纳米制程，2010年直接转进40纳米，以防技术落后竞争对手太多；而美光今2009年虽然积极大量转进50纳米制程，但对于40纳米制程的规画，也着手布局。
    
     美光指出，新加坡厂将在年底开始导入40纳米制程，将是美光旗下第1家导入40纳米制程的厂房，为2010年40纳米世代来临作准备，整体而言，美光在2010年的主力制程是50纳米，2011年制程技术以40纳米的6F2技术为主，2012年则预计导入40纳米制程4F2技术。
    
     从70纳米制程转进50纳米制程，估计成本可下降50%，从50纳米转进40纳米6F2制程，成本可再下降30%，而从40纳米6F2技术转进4F2技术，估计成本可再下滑30%。
    
     目前多家DRAM厂都纷纷宣布取消无薪假，开始复工生产，市场担心正努力朝供需平衡之路迈进的DRAM产业，会面临阻碍，美光则表示，目前台系DRAM厂都停留在落后制程，也很难募得更多资金，来升级机器设备，因此不认为总体产能会增加太多。