国际整流器公司：以节能环保为导向 不断技术创新 优化产品的性价比
Eric Persson是国际整流器公司 (IR) 的全球应用工程执行总监。他是功率电子设计方面的专家，具有20年以上的经验，涉猎逆变器、电机驱动器、AC-DC和DC-DC转换器等不同领域。Persson也是国际公认的出色作家和演说家，过去曾经在不同会议上发表超过50项专题演说和论文。这些活动包括 APEC、PESC、IAS、IECON、PCIM Europe、 HFPC、EPE及Power Systems World等等。此外，他曾在美国明尼苏达大学、威斯康辛大学及普渡大学任教短期的功率电子课程及讲授课程，还持有12项美国及海外的专利，也曾获颁IEEE 第三千禧奖章。
记者：加强研发力度、不断技术创新是分立器件制造企业的主要任务，您是怎样看待技术创新这一问题的？在这方面，贵公司有何实质性举措？
Eric Persson：IR在技术开发和创新方面都拥有十分悠久的历史，多年以来更积极推广节能功率电子。要在行业中取得成功，我们必须继续以具有竞争优势的价格提供完善的产品，同时改善能源效益。 换言之，我们必须继续开发出创新的封装方法、技术和电路拓扑，以充分善用我们的功率器件和控制器。
记者：由于芯片制造技术的不断进步使得管芯面积大大缩减，封装技术所面临的挑战就进一步凸显出来，管芯面积的缩小也对器件的散热提出了更高的要求。您对于封装技术的发展趋势有什么样的看法？
Eric Persson：在分立式功率器件的世界，我们往往需要在芯片尺寸的减缩和散热效率方面作出权衡。因此，国际整流器公司 (IR) 在本世纪初开发了DirectFETR 封装。这种封装技术的最大突破是芯片两面都能够散热，同时在两个方向实现卓越的热导性能。另一项优点是能够减低来自引线键合和引线框架的寄生电阻抗，从而改善电气性能及热性能。
与此同时，随着客户和规管机构提高了改善能源效益的要求，问题的重点也由单方面的小芯片散热，延伸至在一开始就减少热量产生的可行性。封装固然是关键的问题，但芯片的性能也同样重要。我们正在不断努力，积极设计出有助于改善开关及传导损耗的创新硅和氮化镓器件。
记者：集成电路技术的进步，也推动着新功能器件的发展，例如CMOS、高压MOS、IGBT等器件都在不同领域广泛应用，您对于新功能器件的发展（从工艺和应用的角度）有怎样的观点？
Eric Persson：功率器件和集成电路无论在几何特性、器件结构和制程工艺等方方面面，一般都有很大的分别。这表示要制作出一个同时包含电源开关和控制集成电路的单片器件，往往需要做出很大的权衡和取舍。换句话说，器件的性能可能会有所折衷，但成本却又并非最理想。现在我们可以利用合理的性价比集成出单片器件，同时把不同的工艺芯片结合于单一封装，实现更高功率的应用。
由于IR的GaN技术GaNpowIR™ 是基于硅衬底的外延，而GaN开关又使用了横向结构，因此为未来开创了在单片器件上集成COMS控制和GaN电源开关的可能性。
记者：随着半导体行业集成化程度的不断提升，分立器件的应用将呈现怎样的变化？
Eric Persson：集成让我们可以改善功率密度、减少互连阻抗及相关的损耗。比方说，通过把控制器和开关集成于一个像SupIRBuck™的小封装，便可以在十分细小的空间内提供卓越的性能。不过，分立式开关和独立控制器的方案，可以为设计和布局提供更高的灵活性。
记者：您是怎样看待分立器件在传统应用市场和新兴应用市场的发展？而对于目前业界普遍看好的汽车电子和电子照明领域的分立器件市场，您有怎样的看法？
Eric Persson：汽车及照明市场的要求截然不同。汽车需要以合理的成本体现最大的可靠性，而照明市场则主要以最低成本取胜。IR经过改良的新型分立式半导体将继续在这两个市场中扮演举足轻重的角色。
记者：加强研发力度、不断技术创新是分立器件制造企业的主要任务，您是怎样看待技术创新这一问题的？在这方面，贵公司有何实质性举措？
Eric Persson：IR在技术开发和创新方面都拥有十分悠久的历史，多年以来更积极推广节能功率电子。要在行业中取得成功，我们必须继续以具有竞争优势的价格提供完善的产品，同时改善能源效益。 换言之，我们必须继续开发出创新的封装方法、技术和电路拓扑，以充分善用我们的功率器件和控制器。
记者：由于芯片制造技术的不断进步使得管芯面积大大缩减，封装技术所面临的挑战就进一步凸显出来，管芯面积的缩小也对器件的散热提出了更高的要求。您对于封装技术的发展趋势有什么样的看法？
Eric Persson：在分立式功率器件的世界，我们往往需要在芯片尺寸的减缩和散热效率方面作出权衡。因此，国际整流器公司 (IR) 在本世纪初开发了DirectFETR 封装。这种封装技术的最大突破是芯片两面都能够散热，同时在两个方向实现卓越的热导性能。另一项优点是能够减低来自引线键合和引线框架的寄生电阻抗，从而改善电气性能及热性能。
与此同时，随着客户和规管机构提高了改善能源效益的要求，问题的重点也由单方面的小芯片散热，延伸至在一开始就减少热量产生的可行性。封装固然是关键的问题，但芯片的性能也同样重要。我们正在不断努力，积极设计出有助于改善开关及传导损耗的创新硅和氮化镓器件。
记者：集成电路技术的进步，也推动着新功能器件的发展，例如CMOS、高压MOS、IGBT等器件都在不同领域广泛应用，您对于新功能器件的发展（从工艺和应用的角度）有怎样的观点？
Eric Persson：功率器件和集成电路无论在几何特性、器件结构和制程工艺等方方面面，一般都有很大的分别。这表示要制作出一个同时包含电源开关和控制集成电路的单片器件，往往需要做出很大的权衡和取舍。换句话说，器件的性能可能会有所折衷，但成本却又并非最理想。现在我们可以利用合理的性价比集成出单片器件，同时把不同的工艺芯片结合于单一封装，实现更高功率的应用。
由于IR的GaN技术GaNpowIR™ 是基于硅衬底的外延，而GaN开关又使用了横向结构，因此为未来开创了在单片器件上集成COMS控制和GaN电源开关的可能性。
记者：随着半导体行业集成化程度的不断提升，分立器件的应用将呈现怎样的变化？
Eric Persson：集成让我们可以改善功率密度、减少互连阻抗及相关的损耗。比方说，通过把控制器和开关集成于一个像SupIRBuck™的小封装，便可以在十分细小的空间内提供卓越的性能。不过，分立式开关和独立控制器的方案，可以为设计和布局提供更高的灵活性。
记者：您是怎样看待分立器件在传统应用市场和新兴应用市场的发展？而对于目前业界普遍看好的汽车电子和电子照明领域的分立器件市场，您有怎样的看法？
Eric Persson：汽车及照明市场的要求截然不同。汽车需要以合理的成本体现最大的可靠性，而照明市场则主要以最低成本取胜。IR经过改良的新型分立式半导体将继续在这两个市场中扮演举足轻重的角色。