联电新加坡工厂扩产使用45/40nm工艺

联电新加坡工厂扩产使用45/40nm工艺

    　 据报道，联电近日表示，他们在新加坡的Fab 12i晶圆厂已经开始启动扩产计划进行45/40nm工艺生产，联电的此次扩产计划也是为满足客户对先进制程技术的需求。
    
    　　Fab 12i晶圆厂是联电的首个300mm晶圆厂，于2002年4月完工，并在2003年开始试产，目前的月晶圆产量为31000片，主要量产65/55nm工艺芯片。
    
    　　联电称此次扩产计划极具“侵略性”，但是没有透露此次扩产所投花费、完成时间以及扩产后的产能。
    
    　　联电负责晶圆厂运营业务的副总裁颜博文表示：“此次工厂扩产和技术升级兑现了我们当初对用户作出的承诺，同时能够拉动新加坡当地的就业，吸引更多的优秀工程师到联电来。”