东芝计划耗资150亿日元生产25纳米闪存

来源:SEMI 作者:—— 时间:2010-04-06 09:37

东芝

东芝公司今年计划耗资150亿日元(约合1.6亿美元)兴建一条试验生产线,生产小于25纳米制程的NAND闪存芯片。

目前东芝生产的NAND闪存是采用32与43纳米技术,主要应用于手机及数字相机等电子消费产品。为生产新的25纳米制程以下的芯片,需使用较短光波的极紫外光微影(EUV lithography)技术,因此,东芝也将进行相应的技术升级。目前,东芝已向荷兰半导体微影系统大厂ASML订购设备,预计在今年夏天试验投产。消息一经公布,东芝在股市中涨幅达3.5%,远远超过同类电气机器指数0.8%的涨幅。

而东芝与其它半导体厂商20纳米制程闪存的开发,也可望于未来两年内开始量产。

资讯排行榜

  • 每日排行
  • 每周排行
  • 每月排行

华强资讯微信号

关注方法:
· 使用微信扫一扫二维码
· 搜索微信号:华强微电子