三星电子全球率先批量生产20纳米制程NAND闪存

来源:华强电子网 作者:------ 时间:2010-04-21 11:16

         日前,三星电子表示,该公司从上周末开始批量生产20纳米制程32GB多层单元(MLC)NAND闪存。
  
  20纳米制程32GB多层单元NAND闪存的生产性,比30纳米制程高50%左右。三星电子在全球半导体行业率先投入到了量产。
  
  三星电子相关负责人表示,公司同时开发20纳米制程32GB多层单元专用controller,确保了与30纳米级NAND闪存相同的稳定性。
  
  三星电子的20纳米制程NAND闪存将先用于手机存储卡SD卡。
  
  此外,今年2月公布开发20纳米制程64GBNAND闪存的海力士半导体,计划于今年第三季度投入量产,英特尔和Micron合资组建的IMFlash技术有限责任公司则将于第二季度开始批量生产。

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