三星电子全球率先批量生产20纳米制程NAND闪存
来源:华强电子网 作者:------ 时间:2010-04-21 11:16
日前,三星电子表示,该公司从上周末开始批量生产20纳米制程32GB多层单元(MLC)NAND闪存。
20纳米制程32GB多层单元NAND闪存的生产性,比30纳米制程高50%左右。三星电子在全球半导体行业率先投入到了量产。
三星电子相关负责人表示,公司同时开发20纳米制程32GB多层单元专用controller,确保了与30纳米级NAND闪存相同的稳定性。
三星电子的20纳米制程NAND闪存将先用于手机存储卡SD卡。
此外,今年2月公布开发20纳米制程64GBNAND闪存的海力士半导体,计划于今年第三季度投入量产,英特尔和Micron合资组建的IMFlash技术有限责任公司则将于第二季度开始批量生产。
上一篇:英飞凌第二季度业绩强劲且前景看好
相关文章
- •机构:Q4三星电子DRAM业务将扭亏为盈,DS部门亏损收窄2023-12-22
- •三星电子等韩企加入政府新计划,将向半导体和电动汽车等关键技术领域投资超4200亿美元2023-03-15
- •三星电子明年将为开发者推出 XR 设备,特别工作组正在研发2022-12-07
- •报告称三星电子 DRAM 市场份额创 8 年来新低2022-11-09
- •三星电子 3nm 工艺所代工首批芯片正式发货2022-07-26
- •三星电子成立半导体封装工作小组2022-07-05
- •三星电子与SK海力士寻求国内厂商供应冷却剂 预计一年内完成测试2022-06-17
- •三星芯片及代工高层大洗牌2022-06-06
- •Q1全球NAND Flash营收为179.2亿美元,季减3%2022-05-30
- •三星在美第二家芯片厂或于6月动工2022-05-30