存储器中采用铜工艺对于设备市场的影响
按InformationNetwork总裁RobertCasterllano的说法,2009年存储器芯片向铜互连工艺过渡开始热了起来，由此虽然2009年整个半导体设备市场下降超过40％以上,而与铜互连直接相关连的设备仅下降8.7％。
在2006未Micron技术公司首先在DRAM产品制造中采用铜工艺代替铝。一年之后Elpida跟进。之后所有的存储器制造商,以三星为首都对于存储器生产线进行升级改造,导入铜工艺。因此影响了2009年铜淀积设备和材料的市场。公司认为此种趋势将影响半导体设备市场的各个方面一直到2011年。
显然影响最大的是传统的铝互连淀积设备,如高密度等离子体HDPCVD,用作不掺杂(USG)和掺杂(PSGandFSG)薄膜生长设备的销售额在2009年下降72％。
由于存储器芯片制造中采用铜工艺集成,与传统的逻辑工艺不同.而DRAM和闪存应用于大量的存储器应用中,其要求更高的长宽比,尺寸更小和对于导线的阻抗更会敏感。
铜的阻挡层金属淀积推动PVD设备市场的增长,典型为Ta/TaN或者TiN的双层结构。随着特征尺寸继续缩小,要求更薄的阻挡层金属层使大马士革结构中铜的用量扩大,来维持更低的有效电阻率,所以铜互连工艺过渡是个挑战。
Castellano补充由于向铜互连工艺过渡会大大影响CMP设备中的磨料(slurry)和衬垫(pad)市场。实际上由于铜互连工艺很快的推广,之后将趋稳定,这些消耗品会加入总的CMP等半导体设备市场中去。
在2006未Micron技术公司首先在DRAM产品制造中采用铜工艺代替铝。一年之后Elpida跟进。之后所有的存储器制造商,以三星为首都对于存储器生产线进行升级改造,导入铜工艺。因此影响了2009年铜淀积设备和材料的市场。公司认为此种趋势将影响半导体设备市场的各个方面一直到2011年。
显然影响最大的是传统的铝互连淀积设备,如高密度等离子体HDPCVD,用作不掺杂(USG)和掺杂(PSGandFSG)薄膜生长设备的销售额在2009年下降72％。
由于存储器芯片制造中采用铜工艺集成,与传统的逻辑工艺不同.而DRAM和闪存应用于大量的存储器应用中,其要求更高的长宽比,尺寸更小和对于导线的阻抗更会敏感。
铜的阻挡层金属淀积推动PVD设备市场的增长,典型为Ta/TaN或者TiN的双层结构。随着特征尺寸继续缩小,要求更薄的阻挡层金属层使大马士革结构中铜的用量扩大,来维持更低的有效电阻率,所以铜互连工艺过渡是个挑战。
Castellano补充由于向铜互连工艺过渡会大大影响CMP设备中的磨料(slurry)和衬垫(pad)市场。实际上由于铜互连工艺很快的推广,之后将趋稳定,这些消耗品会加入总的CMP等半导体设备市场中去。