日本成功开发出嵌入锗量子点的硅基LED

日本成功开发出嵌入锗量子点的硅基LED

近日，日本东京都市大学综合研究所硅纳米科学研究中心成功开发出采用锗（Ge）量子点的硅发光元件。

东京都市大学工学部教授、硅纳米科学研究中心主任丸泉琢说明，该发光元件是在基于硅的pin构造元件的i层中，嵌入了直径为数10~100nm的锗微小粒子，这种粒子具有提高电子和空穴之间重组率的作用，是藉由分子束外延法在约400℃温度下形成，因此元件的制造工艺与CMOS工艺具有兼容性。

该元件活性层部分的直径约为3μm。已确认可在室温下，通过电流注入可以发出波长为1.2μm左右的光线。发光的内部量子效率为10-2。另外，如果增加注入电流、发光强度就会大幅提高的倾向。未来将在2～3年后开发出作为光开关工作的元件。