台积电：14nm制程节点将用垂直型晶体管结构

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　　蒋尚义表示：“经过研究，我们决定在14nm制程节点放弃使用传统的平面型晶体管结构，转而采用能更好控制沟道性能的垂直型晶体管结构。”据他表示，台积电会先从28nm制程进化到20nm制程，然后将于2015年左右的时间点直接进化到14nm制程。
　　
　　与此同时，IMEC新建的1200平方米净室车间也已经开始投入使用，这间净室车间要比5年前初建时的面积增加了50%。这次新增的空间据称将被用于在年底前安放由ASML公司生产的NXT:3100EUV极紫外光刻设备。
　　
　　IMEC公司高管ThomasHoffmann表示：“眼下向我们过问FinFET制造问题的芯片设计公司已经越来越多。”他认为由于Intel据称会在22nm制程节点开始采用垂直型晶体管技术，加上台积电也已经表态支持这种晶体管结构，因此引起了这些设计公司的注意，大家都想提前为这种技术做好足够的技术准备。
　　
　　“我们和我们的客户都很想搞清楚Gate-last工艺能在FinFET晶体管中发挥出怎样的实际性能，对那些有意在22/16nm制程转向FinFET晶体管结构的公司来说，他们很想知道如果放弃传统的平面型晶体管结构，那么会对现有的high-k/金属栅极技术产生什么样的影响。”
　　
　　Intel公司率先在45nm制程节点开始启用Gate-last工艺来制作HKMG晶体管，而台积电也将在28nm制程节点开始启用这种工艺。Hoffmann认为Gate-last工艺具有许多优势，比如PMOS管的门限电压更为稳定，而且这种工艺将原来填充在栅极区的多晶硅替换为金属材料时，还可以为PMOS管的沟道施加一定的应变力。
　　
　　不过以IBM/GlobalFoundries/三星等Fishkill技术联盟为代表的阵营这坚守Gate-first工艺，他们宣称Gate-first工艺制造的晶体管密度更大，更有利于芯片核心的小型化。
　　
　　在这种情况下，不少需要依赖代工厂的芯片设计公司也是举棋不定，他们频繁与两方阵营往来接触，比对双方两种不同HKMG制作工艺的优缺点。
　　
　　Hoffmann表示：“对28nm制程低功耗芯片而言，采用gate-frist工艺已经完全可以满足技术要求。”