三菱电机倍增功率半导体设备投资金额

三菱电机倍增功率半导体设备投资金额

三菱电机发布讯息指出，2010年度功率半导体的设备投资金额将为2009年度之2倍，达到约100亿日圆之水准。此为该公司历年来功率半导体之最高投资金额。主要为因应白色家电、汽车、产业设备等广大领域之强劲需求。在全球节能风潮下，扩大在降低设备耗能上扮演重要角色之功率半导体投资，以期带动相关营收成长。2010年度营收预计较2009年度成长46%，达1080亿日圆，2015年度则以提高至1500亿日圆以上为目标。

  投资细节预定下周公布。主要除负责晶圆电路形成等前段制程之熊本厂，以及从事封装测试等后段制程之福冈厂之外，亦将投资中国大陆之生产委外厂商。增产产品以白色家电之马达控制功率模组、混合动力车等使用之IGBT等为主。

 三菱电机在控制大电力之IGBT模组领域，全球市占率位居首位。在包含低电压使用产品之整体功率半导体市场，亦与Infineon、Toshiba等并列领先厂商。功率半导体为除SoC之外，日本厂商市场占有率较高的产品，主要厂商皆积极投资。之前，Toshiba宣布2010年度内加贺厂之8寸晶圆产线产能将倍增；富士电机亦计画2011年度前在中国大陆兴建组装厂。