Micron推出第三代低延时DRAM (RLDRAM 3内存)

美光科技(Micron Technology, Inc)今天推出了第三代低延时DRAM (RLDRAM ^{eq oac(}○,R^)R 3内存)—一种高带宽内存技术，能更有效的传输网络信息。视频内容、移动应用和云计算的蓬勃发展，对网络基础设施提出了更高效的要求，以便在线传输大量数据。与前几代产品相比，美光新的RLDRAM 3内存进一步提高了存储密度和速度，同时最大限度地减少了延迟，降低了功耗，在网络应用中性能更好。

对于现有的RLDRAM 2，美光将继续提供最高水平的技术支持，并计划长期生产该产品。此外，美光正将其RLDRAM 2产品组合转入更先进的50nm工艺，提高系统性能，降低功耗。

RLDRAM 3内存产品特点

美光新的RLDRAM 3内存的主要特点及优点有：

低延时：tRC不足10纳秒，是业界最低的随机存取延时

高密度：576Mb-1Gb，灵活性高，可用于多种设计

高速率：达2133Mb/s，数据存取速度更快

高能效：1.2V IO和1.35V内核电压，更省电

构建RLDRAM 合作伙伴网络

美光维持着庞大的合作伙伴网络，使其RLDRAM存储解决方案能更方便地与网络设备集成。美光与其合作伙伴展开了广泛合作，为客户提供量身定制的解决方案，优化网络系统性能。作为这个价值生态系统的一部分，美光目前合作的领先FPGA公司有Altera Corporation和Xilinx，RLDRAM 3内存可集成到其产品系列中。

Xilinx应用和技术营销资深总监Rina Raman说：“Xilinx 7系列FPGA应用于最高级的网络设备，用于满足全世界对带宽无止尽的需求。我们与美光合作，支持其新的RLDRAM 3技术，让我们的客户能够开发网络平台，来满足最严格的基础设施需求。”

产品可用性

美光预计将在2011年上半年开始对其RLDRAM 3进行抽样，目前正与客户合作，征求其对RLDRAM 3内存设计的意见。此外，美光预计将在2010年第四季度开始对其50nm RLDRAM 2产品进行抽样。

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