Micron宣布加大DDR4模块的产量

Micron宣布加大DDR4模块的产量

       先进内存及企业数据中心和高性能应用存储解决方案领先供应商Micron Technology, Inc., 今日宣布其正逐步加大DDR4存储器的产量以支持即将发布的Intel(R) CPU。DDR4技术的性能改进及功耗降低是日益增长的企业计算市场十分重要的要求，与传统DDR3相比，DDR4的功耗可减少达35%。 

    Micron正逐步加大其基于4Gb的DDR4模块的产量，该模块传输速率达2133MT/s以支持Intel Xeon(TM)处理器E5-2600 v3系列产品系统。预计在2015年的后续产品中，Micron还可提供2400 MT/s设备的样品。 

    “我们符合JEDEC标准的组合产品展示出DDR4可向客户提供的性能和功耗方面的优势”，Micron市场和程序管理副总裁Robert Feurle说。“由于Micron与重要客户的密切合作，我们在市场上占有有利地位，能将这种令人振奋的新技术提供给市场”。 

    “从DDR4内存定义的早期直至产品的发布，我们一直与Micron密切合作”，Intel DCG内存生态系统总监Geof Findley说。“我们共同的客户将可以从这项新存储技术中获益，由此可提高未来Intel Xeon(TM)处理器E5-2600 v3系列产品系统（这些新处理器将于2014年下半年达产）的性能、降低其功耗，我们为此感到非常高兴”。 

    Micron完全符合JEDEC标准的DDR4产品组合包括RDIMM、LRDIMM、VLP RDIMM、UDIMM和SODIMM(纠错内存及非纠错内存)，以及x4、x8和x16器件。预计将于2014年3季度早期提供NVDIMM样品。