超越英特尔　台积电调升资本支出至59亿美元

超越英特尔　台积电调升资本支出至59亿美元

看好半导体后市，晶圆代工厂台积电加码投资，在29日法说会中，宣布将2010年资本支出由原订的48亿美元，调高至59亿美元，超越英特尔(Intel)的52亿美元，仅次于韩国三星电子(Samsung Electronics)的228.8亿美元，董事长张忠谋亦将2010年全球晶圆代工产业成长预估值上修至40%。

针对市场忧虑晶圆厂积极扩充产能，将使得2011年有产能过剩的疑虑，张忠谋重申，台积电向来是依客户的需求扩充产能，而非先扩充产能才找客户。张忠谋并指出，2010年全球半导体产值可望年增3成，维持先前预估不变，全球晶圆代工产业成长预估值自原预估的36%，上修至40%。

张忠谋表示，在59亿美元的资本支出，其中58亿美元用于投资晶圆厂，另外1亿美元将用来投资新事业。他进一步指出，用于投资晶圆厂的58亿美元中，79%用来扩充65奈米、40奈米及28奈米制程，13%用来投资超越摩尔定律(More-than-Moore)的新制程技术，另外8%用于研发。

为加速扩充产能，台积电2010年扩充竹科晶圆12厂(Fab12)与南科晶圆14厂(Fab14)两座超大型晶圆厂的产能扩充，目前Fab12与Fab14合计月产能产能已超过20万片约当12寸晶圆，预计年底将扩充至24万片。位于中科的12寸超大型晶圆厂(GIGAFAB)晶圆15厂(Fab15)也于7月中动土，未来单月产能可望达到10逾万片。

台积电财务长何丽梅表示，台积电第2季资本支出16.57亿美元，累计上半年资本支出达31.01亿美元。第2季总产能已扩增至274.9万片8寸约当晶圆，较第1季增加7.1%，下半年产能将持续扩增，预期第3季总产能将较第2季增加7%，第4季产能将再增加3.5%。

何丽梅指出，在加速产能扩充计画后，2010年总产能将达1129.9万片8寸约当晶圆规模，将较2010年增加14%，增加幅度将较原预估的13%高。其中，先进制程产能将增加36%，也将较原预估的35%高。

在新事业方面，张忠谋指出，台积电日前投资太阳能电池厂茂迪，2010年也宣布投资美商Stion，取得铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能技术，他也透露，位在中科规划的CIGS薄膜太阳能电池厂，预计于8月或9月动工。另外新竹的LED厂，则预计于年底前开始将设备进厂。

针对鸿海投资台湾的相关议题，张忠谋并未回应，不过他也强调，台湾的投资环境绝对没有变，而且台积电在台中、台南、新竹都有投资计画，另外还有LED厂与即将动土的太阳能厂。