Micron推出新型2Gb 50纳米的DDR2内存
美光科技 (Micron Technology, Inc.)宣布推出新型2Gb 50纳米的DDR2内存，支持英特尔即将对平板电脑和上网本推出基于Intel? 凌动? 的Oak Trail平台。尺寸和电池寿命对于平板电脑市场十分重要，因此，小尺寸、高容量、低功耗的50纳米的2Gb DDR2内存将成为该市场的 理想存储解决方案。
美光的2Gb DDR2产品过渡到更先进的 50 纳米制程节点， 反映出美光对市场所需的技术的承诺和持续投资。从1Gb升级到2Gb 的元件除了容量提高，采用50纳米制程更有助于降低功耗，并减少内存占用（memory footprint）。
美光为客户开发的DDR2内存维持一贯对质量的高要求，提供优异的性能和多种配置、容量和封装的选择。最新型50纳米DDR2系列产品包括：
从512Mb到2Gb多种容量器件可供选择，提供X4/X8/X16封装 从1GB到4GB的UDIMM及SODIMM 高容量模块配置 传输率高达800 MT/s，为更高的总线速度（Bus Speed）提供迁移路径 支持1.55伏特电压，降低内存系统耗电供货情况：
美光预计于2010年9月开始提供2Gb 50纳米DDR2内存样片，计划于2010年第四季度正式量产。