26nm的NAND闪存开始量产
来源:华强电子网 作者:—— 时间:2010-08-12 09:37
韩国海力士声称,在其M11的300毫米生产线上开始利用20纳米技术进行64Gb的NAND闪存量产。
该公司在2月时曾报道拟进行20纳米级的64Gb的NAND生产,采用现有的32Gb产品进行叠层封装完成。
海力士称它的芯片是26nm的一种,有人称20nm级产品。三星是27nm的NAND闪存,IM Flash是25nm及Sandisk/Toshiba是24nm。
上一篇:成芯半导体转让挂牌期满未成交
下一篇:半导体产能扩充持续到2012
相关文章
- •X-FAB推出基于其110nm车规BCD-on-SOI技术的嵌入式数据存储解决方案2024-12-05
- •瑞萨推出其首款集成闪存的双核低功耗蓝牙SoC 并实现最低功耗2024-01-18
- •西部数据正在计划拆分其闪存和硬盘业务2022-06-08
- •美企MaxLinear收购闪存控制器大厂慧荣科技2022-05-06
- •铠侠计划与西部数据在日本建立闪存工厂2022-03-24
- •预计全球NAND闪存行业今年资本支出将接近300亿美元2022-03-16
- •西安三星半导体占全世界闪存芯片产能超过10%2022-03-01
- •2021Q4闪存行业总营收环比下降2.1%2022-02-23
- •原料污染事件后 闪存龙头火速发布涨价函:产线停工导致成本显著增加2022-02-16
- •2022年第一季整体NAND Flash价格跌幅收敛至8~13%2022-01-26