2010年Q2的半导体生产线整体开工率达95.6％

2010年Q2的半导体生产线整体开工率达95.6％

日前，国际半导体产能统计（SICAS）2010年第二季度(4～6月)的半导体产能公布。虽然部分半导体厂商已经开始了增产投资，但因老生产线废弃，晶圆处理能力未能大幅提高。在这种情况下，由于晶圆投入量增加，半导体的整体开工率达到了可以说是满负荷的95％以上。一部分甚至超过了98％，呈 “超满负荷运转”状态。

晶圆处理能力方面，半导体整体为同比（YoY）减少0.2％，环比（QoQ）增长0.6％，MOS IC整体为同比增长0.1％，环比增长0.6％，继续持平。旨在从0.12～0.06μm生产线向0.06μm以下生产线过渡的细微化投资十分活跃，但是为扩大晶圆处理能力的增产投资却稍显逊色：其冲抵了老生产线废弃导致的晶圆处理能力下降。增产投资的实施，从半导体厂商的企业形态看，主要是硅代工厂商，从晶圆直径来看，主要面向300mm晶圆进行。而在硅代工厂商之外的垂直整合型半导体厂商（IDM）因进行重组，废弃了200mm以下的量产线。

晶圆的实际投入量方面，除部分特例外，均持续了YoY增20～30％、QoQ增近10％的增长率。其中，从半导体厂商的企业形态来看，硅代工厂商的增长率比较显著，而从工艺技术来看，60nm以下工艺的增长率较为显著。硅代工厂商的投入量为YoY增67.8％，QoQ增10.6％，达到40万2200 片/周（以200mm晶圆换算，下同）。60nm以下工艺晶圆的投入量为QoQ增13.0％，达到78万500片/周。

综上所述，半导体整体的量产线开工率为YoY增18.6个百分点，QoQ增2.1个百分点，达到95.6％，MOS IC整体为YoY增17.1个百分点，QoQ增长2.5个百分点，达到95.7％，均超过了95％。尤其是需求量较大的80nm以下工艺、300mm晶圆以及硅代工厂商的开工率更是达到了超过98％的“超满负荷运转”状态。