新型高密度晶体管的薄膜沉积技术

美国应用材料公司今天宣布了其突破性的Applied Producer Eterna FCVD（流体化学气相沉积）系统。这是首创的也是唯一的以高质量介电薄膜隔离20纳米及以下存储器和逻辑器件中的高密度晶体管的薄膜沉积技术。这些隔离区域可以形成深宽比大于30（是当今需求的5倍）和高度复杂的形貌。Eterna FCVD系统的独特工艺能够以致密且无碳的介电薄膜从底部填充所有这些区域，并且其成本仅是综合旋转方式的一半左右，后者需要更多的设备和很多额外的工艺步骤。

　　应用材料公司副总裁、电介质系统组件和化学机械抛光事业部总经理比尔.麦克林托克先生表示：“在先进芯片设计中要填充更小和更深结构的需求对于现有沉积技术形成了实质性的壁垒。应用材料公司今天通过推出全新的Eterna FCVD系统打破了这一壁垒，提供了突破性的技术，使得摩尔定律可以继续取得进展。应用材料公司以Eterna FCVD系统延续了十年来在沟槽填充技术领域的领导地位，为客户应对多个新芯片世代的挑战提供了独特、简化和具有成本效益的解决方案。”

　　应用材料公司专有的Eterna FCVD工艺形成了一个可以自由流入任何形状结构的液体状薄膜，提供从底部向上的无空缺填充。Eterna FCVD系统已经被安装在6个客户的生产厂内，它们被整合在应用材料公司的基准Producer主机平台上，用于DRAM、闪存和逻辑芯片的应用。