存储市场变战场 异业结盟抗衡海力士惠普

存储市场变战场 异业结盟抗衡海力士惠普

存储器业者预期，未来ReRAM、3D NAND Flash、相变化存储器(Phase Change RAM；PRAM)和磁性随机存取存储器(Magnetic RAM；MRAM)等次世代存储器，将会有一番激烈竞争。

尔必达在存储器领域布局越来越广泛，2010年取得已破产的奇梦达(Qimonda)绘图卡存储器(GDDR)技术，又与飞索(Spansion)合作研发电荷捕获 (charging-trapping)NAND Flash技术，未来可能跨足到NOR Flash市场，近期则宣布与夏普合作开发ReRAM。未来尔必达将以存储器制程技术，辅以夏普最擅长的材料技术和制作工法，切入30纳米制程，最快 2011年研发出ReRAM相关材料和制造技术，并由尔必达负责量产。

值得注意的是，海力士与惠普日前才宣布要共同开发ReRAM技术，惠普具有新的极小电子元件(Memory resistors；Memristors)技术，采用十字结构，相较于传统存储器电路，更容易在层内堆叠，借以让晶体管储存更多资料，惠普已研发逾10 年之久，藉由惠普的材料技术，以及海力士在存储器领域量产和技术实力，双方合作开发ReRAM芯片，预计在3年内第1款产品问世，采22纳米制程生产。

存储器业者指出，海力士和尔必达纷携手异业，进军次世代存储器技术领域，显示次世代存储器的材料和技术门槛相当高，需要靠异业结盟来推动产品进入量产。至于惠普和夏普会投入存储器开发，主要亦是为旗下PC、手持式产品等终端产品铺路，确保能拥有效能最佳的存储器产品。

ReRAM 是一种次世代存储器技术，未来应用目标是取代NAND Flash和DRAM，ReRAM芯片能利用现有半导体制程制造，读写速度较NAND Flash芯片快许多，且大幅减少耗能。除ReRAM芯片外，其它次世代存储器技术包括3D NAND Flash、PRAM和MRAM等，都有不同的存储器大厂投入开发，都是为衔接NAND Flash和DRAM技术瓶颈，未来各种次世代存储器都得经过导入量产考验。