美国国家半导体公司上市10Gbit/秒中继器IC

美国国家半导体公司上市10Gbit/秒中继器IC

美国国家半导体公司(National SemiconductorCorp.)上市了以原来一半左右的耗电量即可获得2倍左右传输距离的支持10.3125Gbit/秒的Repeater（中继器）IC"DS100BR410"。该中继器IC配备有四个可进行单向传输的通道（Channel），并在各通道的输入部位和输出部位分别配备了均衡器电路和去加重（De-emphasis）电路。通过均衡器电路进行波形整形，通过去加重电路调整波形的频率特性，从而使长距离传输成为可能。每个通道的耗电量仅为55mW。在使用24AWG（Americanwire gage）的线缆作为传输介质的情况下，数据传输距离可达到20m。主要面向支持10Gbit Ethernet、FiberChannel、XAUI、CPRI和Infiniband等的信号传输规格的线缆传输及FR-4底板传输等。

　　以原来一半左右的耗电量即可获得2倍左右传输距离的支持10.3125Gbit/秒的中继器IC

　　制造技术方面，采用了美国国家半导体公司的第三代SiGe双极CMOS工艺。均衡器电路的最大增益为36dB，去加重电路的最大衰减量为-9dB。把10.3215Gbit/秒的信号传输12m时的确定性抖动（DJ）最大为0.22UI（UnitInterval）。由于具备待机状态检测功能，因此还可支持SATA和SAS等存储用途信号传输规格的OOB（Out OfBand）信号。在人体放电模式（HBM）下，可确保7kV的静电放电（ESD）耐压。在＋2.5V±5%的单一电源电压下工作。工作温度范围为-40～＋85℃。封装方面，采用了实装面积为7mm×7mm的48端子LLP（无引线框架封装）。　　此外，美国国家半导体公司还一并推出了通道构成不同的两种产品。一种是配备两个单向传输通道的"DS100BR210"。另一种是配备一个双向通道的"DS100BR111"。封装均采用实装面积为4mm×4mm的24端子LLP。购买1000个时的单价均为6.95美元。两种产品均将从2011年3月起开始样品供货。