海力士开发出最大容量的单芯片封装DRAM内存
来源:华强电子网 作者:—— 时间:2011-03-11 09:17
全球第二大计算机内存芯片厂商海力士半导体周三称,它已经开发出全球最大容量的单芯片封装DRAM内存芯片。
海力士在声明中称,通过使用一种名为TSV(硅通孔技术)的新技术,海力士成功地在一个芯片封装中堆叠了8个2GB DDR3 DRAM内存芯片。TSV技术与以前的技术相比具有速度更快和耗电量更少的优势。
海力士称,这个成就标志着全球第一个在一个芯片封装中集成16GB内存。制作称内存模块之后,一个内存模块的最大容量可达64GB,可广泛应用以满足服务器和其它产品对大容量内存的需求。
海力士副总裁Hong Sung-joo在声明中称,使用TSV技术的大容量内存生产技术将在2、3年内成为内存行业的核心部分。
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