Microsemi发布应用于太阳能行业的高效功率管理芯片

由于光伏行业设计人员必须积极满足不断创新的需求，同时应对太阳能行业的成本和性能压力，所以采用最新技术是至关重要的。美高森美拥有数十年提供高可靠性的创新性器件的丰富经验，而且具备较长的产品供应期。后续的产品开发焦点是提高灵活性、安全性和成本效益，并为不断扩大的光伏应用设计社群提供全部所需部件和支持，从而将其设计快速带入市场。

-太阳能旁路二极管用于获取电能

LX2400 IDEAL太阳能旁路器件采用Microsemi专利CoolRUN技术，在光伏模块应用中提供一个旁路通道。该器件具有业界最低的正向电压降，可在工作期间实现极低的发热和温升。LX2400具有同级最佳的可靠性和稳健性，用于需要经由模块接线盒获得10A或更高电流的应用。

Microsemi新型肖特基势垒光伏旁路二极管是世界上最薄的型款，其厚度仅为0.74 mm，可让客户将其集成在玻璃下面，省去接线盒。这超薄尺寸旁路二极管也可以用于缩减接线盒尺寸。SFDS系列10A二极管是专为太阳能面板而设计的，采用独特的灵活的铜质引脚，具有经过卫星应用验证的高可靠性。

美高森美除了提供上述的独特封装之外，还提供采用轴向、表面安装和通孔安装的广泛的肖特基旁路二极管，其标准电流范围是10A至18A，电压范围为20 V至45 V，并同时提供设计和构建选项，提供电流高达60 A和电压高达200V的定制器件。

-SmartFusion和IGLOO FPGA用于功率管理和控制

Microsemi SmartFusion混合信号FPGA和IGLOO低功耗FPGA采用基于快闪技术的架构，是帮助逆变器设计人员实现效率最大化，以及在较小的占位面积中集成板级功能的理想选择。功能和算法包括更多数量的PWM状态机，最大功率点追踪(MPPT)和功率因数校正(PFC)等，可在嵌入式32位ARM Cortex-M3或逻辑门之内进行划分，以适合各种设计需求。

-IGBT, MOSFET, FRED和DC-DC转换器用于功率监控

新型600 V CoolMOS C6器件采用第五代高电压超级结技术，实现极低的传导和开关损耗，可实现具有更高效率和功率密度水平的开关系统设计。

由于传导损耗则在总体系统损耗方面占据主导地位，新型MOS 8 IGBT已经针对低工作频率(10 KHz — 30 KHz)而优化。MOS 8 PT IGBT产品系列则在2.0 V (600 VBR(CES)) 和2.5 V (900 VBR(CES))下提供低传导损耗特性。

-FPGA用于功率监控

SmartFusion智能混合信号FPGA在单一IC平台上集成了模拟前端、嵌入式ARM Cortex-M3处理器和可编程逻辑资源。这一灵活性为设计人员提供了开发低功耗的可适配平台的能力，能够精确地监控实时负载数据，同时满足多种安全连接性协议的要求。