MOSFET恐慌性“缺货”引发大量盲目订单
缺货吗？不缺；不缺货？缺。这次由日本地震引起的内存，数码产品以及被动器件的缺货和供应链受阻一直让半导体厂商揪心，对此，业内人士表示由于原厂和分销
代理商还有一定库存，真正的缺货可能2-3月后才突现出来，但国内一些替代厂商和分销商已开始囤粮涨价，甚至一些国产的内存，数码产品也开始跟风涨价，更
奇怪的是一些非日系主流的器件也面临订单紧迫的缺货现象。
这里面不免存在炒作的成分，在叹服这些人手段高超的同时也为之不解，日本一直以 内存，数码产品以及电容，电感等被动器件在国际市场上占有重要比重，但为什么非此类器件，如MOSFET、IGBT也面临缺货现象，深圳市锐骏半导体市场 总监朱兵解释：“其实功率MOSFET一直处于供应吃紧态势，加之此次地震影响，虽然没有对MOSFET供应链产生很大影响，但是很多厂商，特别是本土厂 商，由于信息缺乏和资金链短缺，担心缺货，所以会向供应商频繁下订单，这样就形成了恐慌性缺货现象。”
目前高端消费类电子产品、电信、工 控、汽车电子等市场用MOSFET仍由英飞凌、ST、飞兆等国外厂商把持，国内厂商由于起步较晚，在产品的功率密度、散热和可靠性上，与国际大厂相比均存 在一定的差距。但是本土企业也具备一定优势，比如同等规格的产品，性价比高，而且供货稳定，交期短。随着这几年本土公司在技术和人力上加大投入，与国际厂 商的差距正逐步缩小，已基本可以满足国内市场的需求，深圳锐骏朱兵表示，我们现在可提供电压20V-600V，电流从几A到350A的MOSFET，导通 电阻可以做到只有1.3mΩ，在一般低电压高电流应用中，普通整流二极管0.7V左右导通压降，效率只能达到50%，而我们的MOSFET导通压降低于 0.1V，这样效率可以做到80%-90%。
此外，国外厂商受产能限制，不可能覆盖所有客户，而且国内中小型客户订单量小分散，不固定，原厂和分销商对这类公司也无暇顾及，因而这些公司就迫切需要专门针对这种需求的本土供应商。
深 圳锐骏半导体目前的MOSFET产品主要应用于电动车控制器，电动工具，逆变器，UPS/EPS，适配器，动力电池保护板以及Portable DVD，LCD-TV,DVB,等领域，其中90%的产品主要针对国内市场，目前主要的客户有富士康，台达，长城电源，创科，高标，协昌，晶汇等。
在 MOSFET的制造工艺方面，锐骏跳过平面工艺，直接采用立体沟槽工艺，锐骏半导体高级应用工程师钟任生表示，平面型MOSFET体积和功耗较大，在缩小 晶片面积后性能会大幅下降，不利于提高功率密度和降低成本，而立体沟槽工艺采用垂直结构，可以缩小晶片体积，但是散热性还有待改善，目前MOSFET的主 要工艺难题包括：栅氧厚度，沟道长度、杂质浓度及分布、LDD长度和杂质浓度等，这些参数直接影响MOSFET的阈值电压和击穿电压。
由 于金融危机后积压的产能释放，2010年MOSFET市场需求呈现爆发式增长，但是进入2011年，势头仍然不减，朱兵表示：“在经历去年的增长后，我们 的销售额也翻了几番，产能也不断扩充，但是还显不够，我们目前的月产能是15KK，而订单需求至少有25KK，其中有部分是客户的预支订单，很多客户担心 器件受地震影响，一次性预定几个月甚至半年以上的货源，这种恐慌性订单让我们的产能计划和交期也受到一定影响。”
“虽然我们目前产能有些供不应求，但是几个月前我们已开始与代工厂协商产能扩充计划，预计到5月份这种情况会有所缓解。” 朱兵继续道：“目前我们的交期在4-10周，相比国外厂商要好很多，而且受日本地震的影响，今年MOSFET市场的缺货现象可能仍将持续。”
在 谈及未来市场策略时，朱兵表示，在日本地震以及核泄露事件后，大家更加认识到绿色能源的重要性和安全性，我们也会大力拓展新能源市场，如太阳能逆变 器，LED路灯，汽车HID灯市场，在产品线上，我们会继续向上和向下进行延伸，未来市场的需求可能集中于60V以下的低压MOSFET和60V- 400V中压大电流MOSFET，而在600V/50A以上的大电压，大电流应用，可能将会被IGBT取代，因此IGBT也是我们目前的一个研发方向，最 快今年下半年，我们就会有IGBT产品面市。
这里面不免存在炒作的成分，在叹服这些人手段高超的同时也为之不解，日本一直以 内存，数码产品以及电容，电感等被动器件在国际市场上占有重要比重，但为什么非此类器件，如MOSFET、IGBT也面临缺货现象，深圳市锐骏半导体市场 总监朱兵解释：“其实功率MOSFET一直处于供应吃紧态势，加之此次地震影响，虽然没有对MOSFET供应链产生很大影响，但是很多厂商，特别是本土厂 商，由于信息缺乏和资金链短缺，担心缺货，所以会向供应商频繁下订单，这样就形成了恐慌性缺货现象。”
目前高端消费类电子产品、电信、工 控、汽车电子等市场用MOSFET仍由英飞凌、ST、飞兆等国外厂商把持，国内厂商由于起步较晚，在产品的功率密度、散热和可靠性上，与国际大厂相比均存 在一定的差距。但是本土企业也具备一定优势，比如同等规格的产品，性价比高，而且供货稳定，交期短。随着这几年本土公司在技术和人力上加大投入，与国际厂 商的差距正逐步缩小，已基本可以满足国内市场的需求，深圳锐骏朱兵表示，我们现在可提供电压20V-600V，电流从几A到350A的MOSFET，导通 电阻可以做到只有1.3mΩ，在一般低电压高电流应用中，普通整流二极管0.7V左右导通压降，效率只能达到50%，而我们的MOSFET导通压降低于 0.1V，这样效率可以做到80%-90%。
此外，国外厂商受产能限制，不可能覆盖所有客户，而且国内中小型客户订单量小分散，不固定，原厂和分销商对这类公司也无暇顾及，因而这些公司就迫切需要专门针对这种需求的本土供应商。
深 圳锐骏半导体目前的MOSFET产品主要应用于电动车控制器，电动工具，逆变器，UPS/EPS，适配器，动力电池保护板以及Portable DVD，LCD-TV,DVB,等领域，其中90%的产品主要针对国内市场，目前主要的客户有富士康，台达，长城电源，创科，高标，协昌，晶汇等。
在 MOSFET的制造工艺方面，锐骏跳过平面工艺，直接采用立体沟槽工艺，锐骏半导体高级应用工程师钟任生表示，平面型MOSFET体积和功耗较大，在缩小 晶片面积后性能会大幅下降，不利于提高功率密度和降低成本，而立体沟槽工艺采用垂直结构，可以缩小晶片体积，但是散热性还有待改善，目前MOSFET的主 要工艺难题包括：栅氧厚度，沟道长度、杂质浓度及分布、LDD长度和杂质浓度等，这些参数直接影响MOSFET的阈值电压和击穿电压。
由 于金融危机后积压的产能释放，2010年MOSFET市场需求呈现爆发式增长，但是进入2011年，势头仍然不减，朱兵表示：“在经历去年的增长后，我们 的销售额也翻了几番，产能也不断扩充，但是还显不够，我们目前的月产能是15KK，而订单需求至少有25KK，其中有部分是客户的预支订单，很多客户担心 器件受地震影响，一次性预定几个月甚至半年以上的货源，这种恐慌性订单让我们的产能计划和交期也受到一定影响。”
“虽然我们目前产能有些供不应求，但是几个月前我们已开始与代工厂协商产能扩充计划，预计到5月份这种情况会有所缓解。” 朱兵继续道：“目前我们的交期在4-10周，相比国外厂商要好很多，而且受日本地震的影响，今年MOSFET市场的缺货现象可能仍将持续。”
在 谈及未来市场策略时，朱兵表示，在日本地震以及核泄露事件后，大家更加认识到绿色能源的重要性和安全性，我们也会大力拓展新能源市场，如太阳能逆变 器，LED路灯，汽车HID灯市场，在产品线上，我们会继续向上和向下进行延伸，未来市场的需求可能集中于60V以下的低压MOSFET和60V- 400V中压大电流MOSFET，而在600V/50A以上的大电压，大电流应用，可能将会被IGBT取代，因此IGBT也是我们目前的一个研发方向，最 快今年下半年，我们就会有IGBT产品面市。