英特尔20纳米闪存技术号称领先三星

英特尔20纳米闪存技术号称领先三星

英特尔与美光称上周宣布了20纳米Nand闪存制造技术，英特尔称利用这一技术将有望制造出业界体积最小、密度最高的闪存装置。  

英特尔的非挥发性内存解决方案部门的总经理Tom Rampone表示，“英特尔与美光的合作是制造业的楷模，因为我们将会在制程技术上持续领导业界转换至越来越微小的技术。”

20纳米制程是以原来的25纳米制程为基础而加以改善，两家公司去年八月所生产的8GB装置即是使用25纳米制程。英特尔表示，在此之前，两家公司还共同开发了采用34纳米制程的MLC储存技术。英特尔与美光预期会在今年下半年开始大量生产采用此一新技术的8GB MLC装置，届时希望也能够展出16GB的样本装置。

Nand闪存技术的主导厂商三星公司在2010年4月时发表了自己的20纳米节点Nand闪存技术，但是根据该公司的生产方式定义的不同，它的制程可能会介于20至29纳米之间。

英特尔认为它的制程比三星的更加先进。

“大部分的分析师表示三星的20纳米制程实际上比较接近27纳米。这意味着25纳米的MLC是2010年最精细的Nand生产制程，并且制造出去年业界最小的64GB MLC Nand晶粒与64GB TBC Nand晶粒”，英特尔EMEA的技术发言人Markus Weingartner指出，“我们将会在2011年延续技术上的领先并打造出真正的20纳米Nand制程，并再度生产出业界最小、只有118mm的64GB MLC Nand晶粒。”

三星目前并未对以上说法做出响应。

今年一月时，IBM与三星宣布了一项研究合作，两家公司将会协力开发20奈米以下的半导体材料与制程技术。四月时，Toshiba宣布已经开发出使用24纳米制程来生产的Nand闪存，并且具有内嵌的控制来执行错误修正码功能。