ST推出新一代高频功率晶体管
横跨多重电子应用领域、全球领先的功率半导体供应商（STMicroelectronics，简称ST）推出新一代高频功率晶体管。新产品可有效延长如医用扫描仪和等离子发生器等大功率射频设备的运行时间，并可提高应用性能及降低设备成本。
经制程升级后，意法半导体最新的射频功率MOSFET晶体管可承受高达200V的峰值电压，比同类竞争产品高20%以上。更高的耐用性可有效延长功率晶体管的使用寿命，从而降低设备的停机时间和经营成本。先进的制程还能提高MOSFET的增益、能效及大功率特性，进而提高设备性能，并简化设计。
此外，新产品采用最新的陶瓷封装和意法半导体的塑胶气室（STAC?）封装技术，这两种封装可加快裸片散热过程和提高可靠性，进一步降低设备维护成本。
SD4931和SD4933分别是150W和300W N沟道射频功率MOSFET晶体管，适用于50V DC信号高达250MHz的应用。采用意法半导体的强化垂直硅制程和配备倒螺栓安装凸缘的密闭陶瓷封装是这个系列器件的两大优势。
STAC4932B和STAC4932F采用意法半导体的倒螺栓无凸缘的STAC封装，适合100V脉冲/额定功率1000W以上的射频应用，如光驱和核磁共振影像（MRI）。拥有高散热率和高能效的 STAC封装配备散热基座，可直接焊接散热器，让MOSFET晶体管能够输出大功率的高频信号，最大限度地提升应用可靠性，延长设备的使用寿命。
主要特性：
· 击穿电压(V(BR)DSS) > 200V
· 最大结温200°C
· 可承受20:1的全部相位负载失匹率（SD4931/4933）
· 输出功率 (POUT):：
o 在175MHz时，最低150W，14.8dB增益（SD4931)
o 在30MHz时，最低300W，24dB增益（SD4933）
o 在123MHz时，最低1000W（正常1200W），26dB增益 （STAC4932B/F）
采用陶瓷封装的STAC4932B现已量产；采用STAC封装的STAC4932F预计于今年6月量产。
