IR推出新型WideLead TO-262封装的车用MOSFET
全球功率半导体和管理方案供应商国际整流器公司推出采用新型WideLead TO-262封装的车用MOSFET系列，与传统的TO-262封装相比，可减少 50%引线电阻，并提高30%电流。
这款新型车用MOSFET系列适合需要低导通电阻(Rds(on))的通用大负荷/高功率通孔应用，内燃机(ICE)汽车电动助力转向系统和电池开关，以及各类微型和全混合动力汽车。新器件采用IR先进的硅和封装技术，在显著提高性能的同时可与现有的设计标准相匹配。
在标准TO-262通孔封装中，除了MOSFET导通电阻，源极和漏极引线电阻可增至1mΩ。新WideLead TO-262通孔封装可将引线电阻降至不到0.5 mΩ，大大减少了引线中的传导损耗和热量，在特定的工作温度下，比传统的TO-262封装的电流承载能力高30%。根据评估，在直流电为40A和60A的条件下，WideLead引线温度比标准TO-262分别低30%和39%。此外，随着其它封装技术的提高，WideLead比标准TO-262封装中的同等MOSFET少传输20%导通电阻。
IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“新型WideLead TO-262封装的设计灵感来自于DirectFET封装超低芯片自由阻抗的出色性能，以及传统TO-262封装的各种局限性。IR新型WideLead封装中的MOSFET新系列在传输高电流的同时，大大降低了引线中的传导损耗和自身热量，从而为汽车应用提供了一个坚固可靠的解决方案。”
所有IR车用MOSFET产品都遵循IR要求零缺陷的汽车质量理念，并经过了动态和静态器件平均测试及100%自动晶圆级目视检查。
新器件符合AEC-Q101标准，是在IR要求零缺陷的汽车质量理念下研制而成的。它环保、无铅，也符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。